公开(公告)号：CN109782533A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811258198.8

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建诚 ,  李信昌 ,  陈嘉仁 ,  沈仓辉 ,  许呈韶 ,  何彦政 ,  张世明

IPC: G03F1/76 ,  G03F7/20

Abstract: 在一种制造光刻用掩模的方法中，获取电路图案数据；根据电路图案数据计算图案密度，其中图案密度是每预定区域的总图案区域；为图案密度低于临界密度的区域产生虚拟图案数据；根据电路图案数据及虚拟图案数据产生掩模绘图数据；根据掩模绘图数据，以电子束光刻设备的电子束于掩模坯料基板上所形成的光刻胶层上绘制图案；以及以显影液显影经绘图的光刻胶层，当光刻胶层以电子束曝光且经过显影，虚拟图案数据内所包含的多个虚拟图案并不会转印为掩模图案。

公开(公告)号：CN119165721A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411110808.5

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李承晔 ,  余青芳 ,  黄学位 ,  何彦政 ,  林威成 ,  尹新逸

IPC: G03F1/42 ,  G03F9/00

Abstract: 本公开涉及具有覆盖标记的光刻掩模及相关方法。一种方法，包括：生成与要在掩模中形成的实际掩模覆盖标记相关联的设计掩模覆盖标记；基于设计掩模覆盖标记在掩模中形成实际掩模覆盖标记，实际掩模覆盖标记包括多个覆盖图案；形成与实际掩模覆盖标记相邻的器件特征图案；通过包括光源的掩模测量装置形成掩模的对准，光源具有波长和数值孔径，其中，多个覆盖图案中的相邻两个覆盖图案之间的间距不超过波长除以两倍的数值孔径；以及在掩模处于对准时，通过转移器件特征图案来在晶圆的层中形成图案。

公开(公告)号：CN109814331A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810994414.9

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  林秉勋 ,  何彦政 ,  林志诚 ,  陈嘉仁

IPC: G03F1/50

Abstract: 制作光掩模的方法包括以射线选择性曝光空白光掩模的部分，改变空白光掩模曝光至射线的部分的光学性质，因此形成空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的图案。图案对应多个半导体装置结构的图案。