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发明公开
具有覆盖标记的光刻掩模及相关方法审中-实审

公开(公告)号：CN119165721A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411110808.5

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李承晔 , 余青芳 , 黄学位 , 何彦政 , 林威成 , 尹新逸

IPC: G03F1/42 , G03F9/00

Abstract: 本公开涉及具有覆盖标记的光刻掩模及相关方法。一种方法，包括：生成与要在掩模中形成的实际掩模覆盖标记相关联的设计掩模覆盖标记；基于设计掩模覆盖标记在掩模中形成实际掩模覆盖标记，实际掩模覆盖标记包括多个覆盖图案；形成与实际掩模覆盖标记相邻的器件特征图案；通过包括光源的掩模测量装置形成掩模的对准，光源具有波长和数值孔径，其中，多个覆盖图案中的相邻两个覆盖图案之间的间距不超过波长除以两倍的数值孔径；以及在掩模处于对准时，通过转移器件特征图案来在晶圆的层中形成图案。

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