公开(公告)号：CN119165721A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411110808.5

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李承晔 ,  余青芳 ,  黄学位 ,  何彦政 ,  林威成 ,  尹新逸

IPC: G03F1/42 ,  G03F9/00

Abstract: 本公开涉及具有覆盖标记的光刻掩模及相关方法。一种方法，包括：生成与要在掩模中形成的实际掩模覆盖标记相关联的设计掩模覆盖标记；基于设计掩模覆盖标记在掩模中形成实际掩模覆盖标记，实际掩模覆盖标记包括多个覆盖图案；形成与实际掩模覆盖标记相邻的器件特征图案；通过包括光源的掩模测量装置形成掩模的对准，光源具有波长和数值孔径，其中，多个覆盖图案中的相邻两个覆盖图案之间的间距不超过波长除以两倍的数值孔径；以及在掩模处于对准时，通过转移器件特征图案来在晶圆的层中形成图案。

公开(公告)号：CN104051512A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310342244.3

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  刘怡劭 ,  赖飞龙 ,  林威成 ,  廖大传 ,  杨健国

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: G01N27/4148

Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。

公开(公告)号：CN104051512B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310342244.3

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  刘怡劭 ,  赖飞龙 ,  林威成 ,  廖大传 ,  杨健国

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。