公开(公告)号：CN106093119A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510736369.3

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖大传 ,  杨健国 ,  刘怡劭 ,  陈东村 ,  林展庆 ,  黄睿政 ,  徐英杰 ,  杨锦煌

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提供了包括衬底、栅电极和感测阱的生物器件。衬底包括源极区、漏极区、沟道区、主体区和感测区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。感测区至少设置在沟道区和主体区之间。栅电极至少设置在衬底的沟道区上或之上。感测阱至少邻近感测区设置。本发明的实施例还涉及生物器件的生物感测方法。

公开(公告)号：CN107799596A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710610942.5

申请日：2017-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东村 ,  杨健国 ,  黄睿政 ,  陈昆龙 ,  廖大传 ,  谢正祥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/4148 ,  G01N33/54373 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明的一些实施例提供生物传感器装置及其形成方法。腔室形成于衬底中且经配置以接纳一或多个带电分子。晶体管形成于所述衬底中且包括在横向方向上与所述腔室空间分离的源极区域、漏极区域及沟道区域。所述晶体管的栅极放置于所述腔室下方且延伸于所述腔室与所述源极区域、所述漏极区域及所述沟道区域之间。所述栅极的电压电位是基于所述腔室中的所述带电分子的数目。

公开(公告)号：CN103050496B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210103818.7

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖大传 ,  杨健国 ,  徐英杰 ,  陈世宪 ,  郭良泰 ,  柯钧耀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/1156 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/60 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型的第一掺杂阱。数据存储结构包括位于第一掺杂阱上的第一栅极介电部件。数据存储结构包括第一栅电极，被设置在第一栅极介电部件上并被配置为是浮置的。电容器包括第一类型的第二掺杂阱。电容器包括位于第二掺杂阱上的第二栅极介电部件。电容器还包括被设置在第二栅极介电部件上并与第一栅电极连接的第二栅电极。本发明还公开了用于单栅极非易失性存储器的结构及方法。

公开(公告)号：CN104051512A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310342244.3

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  刘怡劭 ,  赖飞龙 ,  林威成 ,  廖大传 ,  杨健国

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: G01N27/4148

Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。

公开(公告)号：CN106093119B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201510736369.3

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖大传 ,  杨健国 ,  刘怡劭 ,  陈东村 ,  林展庆 ,  黄睿政 ,  徐英杰 ,  杨锦煌

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提供了包括衬底、栅电极和感测阱的生物器件。衬底包括源极区、漏极区、沟道区、主体区和感测区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。感测区至少设置在沟道区和主体区之间。栅电极至少设置在衬底的沟道区上或之上。感测阱至少邻近感测区设置。本发明的实施例还涉及生物器件的生物感测方法。

公开(公告)号：CN104051512B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310342244.3

申请日：2013-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  刘怡劭 ,  赖飞龙 ,  林威成 ,  廖大传 ,  杨健国

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。

公开(公告)号：CN103050496A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210103818.7

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖大传 ,  杨健国 ,  徐英杰 ,  陈世宪 ,  郭良泰 ,  柯钧耀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/1156 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/60 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型的第一掺杂阱。数据存储结构包括位于第一掺杂阱上的第一栅极介电部件。数据存储结构包括第一栅电极，被设置在第一栅极介电部件上并被配置为是浮置的。电容器包括第一类型的第二掺杂阱。电容器包括位于第二掺杂阱上的第二栅极介电部件。电容器还包括被设置在第二栅极介电部件上并与第一栅电极连接的第二栅电极。本发明还公开了用于单栅极非易失性存储器的结构及方法。