-
公开(公告)号：CN109205548A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711269755.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。
-
公开(公告)号：CN104051512B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310342244.3
申请日：2013-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。
-
公开(公告)号：CN113968569A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232301.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN111115554A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911036102.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种传感器。所述传感器包括：微机电系统(MEMS)衬底，设置在集成芯片(IC)之上，其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分，且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上，其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分，且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中，传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分，虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。
-
公开(公告)号：CN103426930B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310192704.9
申请日：2013-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145
Abstract: 本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)和制造BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的或者是典型的CMOS工艺的一个或多个工艺步骤形成BioFET。该BioFET器件可以包括衬底；设置在衬底的第一表面上的栅极结构和在衬底的第二表面上形成的界面层。界面层可以允许受体被放置在界面层上以检测存在的生物分子或生物实体。BioFET器件的放大因数可以由与第一表面上的栅极结构相关的电容和与第二表面上形成的界面层相关的电容的差值提供。本发明还提供了一种用于信号放大的具有双栅极生物场效应晶体管的系统和方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051512A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310342244.3
申请日：2013-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: G01N27/4148
Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。该方法包括：使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或者互补金属氧化物半导体工艺特有的一种或多种工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件包括衬底、具有邻近沟道区的处理层的晶体管结构、隔离层、以及位于处理层上的隔离层的开口中的介电层。介电层和处理层设置在晶体管的与栅极结构相对的侧面上。处理层可以是轻掺杂的沟道层或者耗尽层。本发明还提供了一种性能增强的背面感测生物场效应晶体管。
-
公开(公告)号：CN111115554B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201911036102.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种传感器。所述传感器包括：微机电系统(MEMS)衬底，设置在集成芯片(IC)之上，其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分，且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上，其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分，且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中，传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分，虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。
-
公开(公告)号：CN113884539A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111142749.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10‑8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN109205548B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711269755.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。
-
公开(公告)号：CN107032288A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610882059.7
申请日：2016-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81C1/00285 , B81C2201/0125 , B81C2201/0154 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0792 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81C1/00301
Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.041 seconds)
