公开(公告)号：CN106495086A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610600300.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  G01N27/00 ,  G01N27/12

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792 ,  G01L9/0041 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0048 ,  G01N27/123 ,  B81B7/0096 ,  B81C3/001 ,  G01N27/00 ,  G01N27/128

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN113968569A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111232301.3

申请日：2016-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭荣辉 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113884539A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111142749.6

申请日：2015-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: G01N27/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10‑8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN107032288A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610882059.7

申请日：2016-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭荣辉 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/02 ,  B81B7/0006 ,  B81C1/00301

Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106324038A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510775915.4

申请日：2015-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: G01N27/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L23/3121 ,  G01N27/128 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10-8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。