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公开(公告)号：CN113161321B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202110255869.0
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本发明描述了用于形成配置为防止外扩散的钴原子迁移至上部金属化层中的覆盖层的方法。在一些实施例中，方法包括：在包括钌的无衬垫导电结构上沉积钴扩散阻挡层，其中，沉积钴扩散阻挡层包括形成与无衬垫导电结构自对准的钴扩散阻挡层。方法还包括：在钴扩散阻挡层上沉积具有蚀刻停止层和介电层的堆叠件；以及在堆叠件中形成开口以暴露钴扩散阻挡层。最后，方法包括：在钴扩散阻挡层上形成导电结构。本申请的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN114883262A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210237868.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。一或多个半导体工艺工具可形成金属盖于金属栅极上。一或多个半导体工艺工具可形成一或多个介电层于金属盖上。一或多个半导体工艺工具可形成凹陷至一或多个介电层中的金属盖。一或多个半导体工艺工具可由下至上沉积金属材料于金属盖上，以形成金属插塞于凹陷中并直接位于金属盖上。
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公开(公告)号：CN113948451A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110818371.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体装置的形成方法，在沟槽中形成金属插塞之前，可在沟槽的底部和侧壁上形成金属粘着层。可使用等离子体来改变金属粘着层的相组成，以增加金属粘着层与金属插塞之间的粘着力。特别来说，等离子体可导致金属粘着层的相组成发生变位或转变，使金属粘着层变为由主要相(111)组成。金属粘着层的主要相(111)增加了金属粘着层的粘着力。
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公开(公告)号：CN118610090A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202311539320.X
申请日：2023-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极/漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极/漏极区域之上形成层间电介质(ILD)层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。
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公开(公告)号：CN110718503B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910619176.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 通常地，本申请提供了涉及诸如金属接触件，通孔，线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例性实施例。在实例中，沿着侧壁形成阻挡层。通过湿蚀刻工艺沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻之后，暴露阻挡层的部分以及下面的介电焊接层。沿着阻挡层形成导电材料。本发明实施例涉及接触导电部件形成和结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110223921A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810894144.4
申请日：2018-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本公开涉及半导体结构的制造方法，特别是半导体装置及其形成方法，包含：在基底上方形成介电层并在介电层中图案化出接触区，此接触区具有多个侧部以及将基底露出的底部。此方法亦可包含在接触区中形成介电阻障层以覆盖这些侧部与底部，并蚀刻介电阻障层以露出基底。随后，可形成导电层以覆盖接触区的这些侧部与底部，且可退火导电层以在接触区的底部下方形成硅化物区于基底之中，而后可选择性地移除在接触区的这些侧部的导电层。最后，可于接触区中执行表面处理以在介电层中形成富含氮区及在基底中形成氮化区，且可在接触区中形成粘着层以覆盖接触区的这些侧部与底部。
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公开(公告)号：CN118824943A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410195968.8
申请日：2024-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供了具有降低的R/C的接触插塞及其形成方法。一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中接触间隔物围绕接触开口；在开口中和源极/漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到接触开口中的粘附层；以及执行处理工艺，使得对接触间隔物进行处理。处理工艺选自由氧化工艺、碳化工艺及其组合组成的组。该方法还包括在粘附层上方沉积金属阻挡物、沉积金属材料以填充接触开口、以及执行平坦化工艺以去除金属材料的位于层间电介质上方的多余部分。
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公开(公告)号：CN109860100B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811200185.5
申请日：2018-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 一般而言，本发明实施例提供涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件的示例性实施例以及用于形成这些导电部件的方法。在实施例中，沿着侧壁形成阻挡层。沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻阻挡层的部分之后，沿着侧壁平滑阻挡层的上部。沿着阻挡层和在阻挡层的平滑的上部上方形成导电材料。本发明实施例涉及导电部件形成和结构。
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公开(公告)号：CN113161321A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110255869.0
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本发明描述了用于形成配置为防止外扩散的钴原子迁移至上部金属化层中的覆盖层的方法。在一些实施例中，方法包括：在包括钌的无衬垫导电结构上沉积钴扩散阻挡层，其中，沉积钴扩散阻挡层包括形成与无衬垫导电结构自对准的钴扩散阻挡层。方法还包括：在钴扩散阻挡层上沉积具有蚀刻停止层和介电层的堆叠件；以及在堆叠件中形成开口以暴露钴扩散阻挡层。最后，方法包括：在钴扩散阻挡层上形成导电结构。本申请的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN109860100A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811200185.5
申请日：2018-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 一般而言，本发明实施例提供涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件的示例性实施例以及用于形成这些导电部件的方法。在实施例中，沿着侧壁形成阻挡层。沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻阻挡层的部分之后，沿着侧壁平滑阻挡层的上部。沿着阻挡层和在阻挡层的平滑的上部上方形成导电材料。本发明实施例涉及导电部件形成和结构。
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