公开(公告)号：CN114883262A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210237868.8

申请日：2022-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄俊贤 ,  徐鹏富 ,  蔡宇轩 ,  洪敏修 ,  高承远 ,  张根育 ,  蔡纯怡 ,  赖加瀚 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。一或多个半导体工艺工具可形成金属盖于金属栅极上。一或多个半导体工艺工具可形成一或多个介电层于金属盖上。一或多个半导体工艺工具可形成凹陷至一或多个介电层中的金属盖。一或多个半导体工艺工具可由下至上沉积金属材料于金属盖上，以形成金属插塞于凹陷中并直接位于金属盖上。

公开(公告)号：CN110323205A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201810823819.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  赖加瀚 ,  傅美惠 ,  洪敏修 ,  郑雅忆

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例大体提供了涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例实施例。在实施例中，一种半导体结构包括位于衬底上方的第一介电层、位于第一介电层中的第一导电部件、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第二介电层中的第二导电部件以及设置在第一导电部件和第二导电部件之间的阻挡区。第二导电部件设置在第二介电层的第一侧壁和第二介电层的第二侧壁之间且邻接第一侧壁和第二侧壁。阻挡区至少从第二介电层的第一侧壁横向延伸至第二介电层的第二侧壁。本发明实施例还提供另一种半导体结构和一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN102969233A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN110323205B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201810823819.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  赖加瀚 ,  傅美惠 ,  洪敏修 ,  郑雅忆

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例大体提供了涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例实施例。在实施例中，一种半导体结构包括位于衬底上方的第一介电层、位于第一介电层中的第一导电部件、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第二介电层中的第二导电部件以及设置在第一导电部件和第二导电部件之间的阻挡区。第二导电部件设置在第二介电层的第一侧壁和第二介电层的第二侧壁之间且邻接第一侧壁和第二侧壁。阻挡区至少从第二介电层的第一侧壁横向延伸至第二介电层的第二侧壁。本发明实施例还提供另一种半导体结构和一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN110277347A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201810937837.7

申请日：2018-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  赖加瀚 ,  张志维 ,  傅美惠 ,  蔡明兴 ,  林威戎 ,  汪于仕 ,  郑雅忆 ,  陈怡利

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供了与诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件和用于形成那些导电部件的方法相关的示例性实施例。在一些实施例中，一种结构包括：第一介电层，位于衬底上方；第一导电部件，穿过第一介电层，第一导电部件包括第一金属；第二介电层，位于第一介电层上方；以及第二导电部件，穿过第二介电层，具有延伸至第一导电部件的下部凸形表面，其中，第二导电部件的下部凸形表面具有在第二介电层的底部边界下方横向延伸的尖端。本发明的实施例还涉及使用自下而上填充沉积的导电部件形成和结构。

公开(公告)号：CN102969233B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。