公开(公告)号：CN102969233B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN102969233A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。