公开(公告)号：CN102969233B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN102969233A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN222814763U

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202421229786.X

申请日：2024-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓运桢 ,  陈思颖 ,  陈永君 ,  薛森鸿 ,  徐志安

IPC: H10D84/85

Abstract: 一种半导体装置包括半导体基板、第一鳍部、第二鳍部及浅沟槽隔离区。第一鳍部设置于半导体基板上。第二鳍部设置于半导体基板上且与第一鳍部以一距离相邻。浅沟槽隔离区设置于第一鳍部及第二鳍部之间，且浅沟槽隔离区包括第一介电层及第二介电层。第一介电层设置于第一鳍部与第二鳍部的多个顶表面及多个侧壁上方，并位于第一鳍部与第二鳍部之间的半导体基板的顶表面上。第二介电层设置于第一介电层上方。