公开(公告)号：CN110931476A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201811353356.8

申请日：2018-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/58 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  G02B6/122

Abstract: 半导体封装件包括第一光学收发器、第二光学收发器、第三光学收发器及等离子体波导。所述第一光学收发器包括用于发送及接收光信号的至少一个光学输入/输出部。所述第二光学收发器堆叠在所述第一光学收发器上。所述第三光学收发器包括用于发送及接收光信号的至少一个光学输入/输出部。所述第三光学收发器堆叠在所述第二光学收发器上。所述等离子体波导穿透所述第二光学收发器且光学耦接所述第一光学收发器的所述至少一个光学输入/输出部及所述第三光学收发器的所述至少一个光学输入/输出部。

公开(公告)号：CN110635848A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910114579.7

申请日：2019-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H04B10/40

Abstract: 一种光学收发器，所述光学收发器包括光子集成电路组件、电集成电路组件及绝缘包封体。所述光子集成电路组件包括被配置成传送及接收光学信号的至少一个光学输入/输出部。所述电集成电路组件设置在所述光子集成电路组件上且电连接到所述光子集成电路组件。所述绝缘包封体覆盖所述光子集成电路组件的所述至少一个光学输入/输出部。所述绝缘包封体在侧向上包封所述电集成电路组件。所述绝缘包封体对所述光学信号是光学透明的。

公开(公告)号：CN110911373A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811357620.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括多个第一管芯以及绝缘包封体。所述多个第一管芯各自包括具有弯曲型图案的第一波导路径的第一波导层，其中所述多个第一管芯的所述第一波导层彼此光学耦合以形成光路。所述绝缘包封体包封所述多个第一管芯。

公开(公告)号：CN102969233A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN1466226A

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN02122346.7

申请日：2002-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈豪育 ,  陈方正 ,  詹宜陵 ,  杨国男 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管，本发明的场效晶体管至少包括：源极和漏极间的信道，其中此信道为中间细两端宽的颈状结构，藉以避免发生短信道效应，且同时可减少串联信道电阻值；以及包裹间隙壁，其中包裹间隙壁覆盖住信道，和源极与漏极的主动区域，藉以避免这些区域被金属硅化。本发明的制造方法至少包括：在SOI基板或类似结构上，以OD掩膜进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极、漏极；以及于沉积栅极材料层之后，形成包裹间隙壁。

公开(公告)号：CN102969233B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN1218400C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN02122346.7

申请日：2002-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈豪育 ,  陈方正 ,  詹宜陵 ,  杨国男 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管，本发明的场效晶体管至少包括：源极和漏极间的信道，其中此信道为中间细两端宽的颈状结构，藉以避免发生短信道效应，且同时可减少串联信道电阻值；以及包裹间隙壁，其中包裹间隙壁覆盖住信道，和源极与漏极的主动区域，藉以避免这些区域被金属硅化。本发明的制造方法至少包括：在SOI基板或类似结构上，以主动区域(OD)掩膜进行光刻和蚀刻工艺来形成颈状信道、源极、漏极；以及于沉积栅极材料层之后，形成包裹间隙壁。