公开(公告)号：CN110911373A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811357620.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括多个第一管芯以及绝缘包封体。所述多个第一管芯各自包括具有弯曲型图案的第一波导路径的第一波导层，其中所述多个第一管芯的所述第一波导层彼此光学耦合以形成光路。所述绝缘包封体包封所述多个第一管芯。

公开(公告)号：CN110931476A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201811353356.8

申请日：2018-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/58 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  G02B6/122

Abstract: 半导体封装件包括第一光学收发器、第二光学收发器、第三光学收发器及等离子体波导。所述第一光学收发器包括用于发送及接收光信号的至少一个光学输入/输出部。所述第二光学收发器堆叠在所述第一光学收发器上。所述第三光学收发器包括用于发送及接收光信号的至少一个光学输入/输出部。所述第三光学收发器堆叠在所述第二光学收发器上。所述等离子体波导穿透所述第二光学收发器且光学耦接所述第一光学收发器的所述至少一个光学输入/输出部及所述第三光学收发器的所述至少一个光学输入/输出部。

公开(公告)号：CN110635848A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910114579.7

申请日：2019-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H04B10/40

Abstract: 一种光学收发器，所述光学收发器包括光子集成电路组件、电集成电路组件及绝缘包封体。所述光子集成电路组件包括被配置成传送及接收光学信号的至少一个光学输入/输出部。所述电集成电路组件设置在所述光子集成电路组件上且电连接到所述光子集成电路组件。所述绝缘包封体覆盖所述光子集成电路组件的所述至少一个光学输入/输出部。所述绝缘包封体在侧向上包封所述电集成电路组件。所述绝缘包封体对所述光学信号是光学透明的。

公开(公告)号：CN106206499B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510298785.X

申请日：2015-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承竣 ,  张宏宾 ,  杨固峰 ,  陈怡秀 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了半导体器件和方法，该方法利用单个掩模来形成用于衬底通孔以及介电通孔的开口。在实施例中，在第一半导体器件和第二半导体器件上方和之间沉积接触蚀刻停止层。在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接触蚀刻停止层上方沉积介电材料。利用接触蚀刻停止层和介电材料的不同材料，使得单个掩模可以用于形成穿过第一半导体器件的衬底通孔并且以形成穿过介电材料的介电通孔。

公开(公告)号：CN119517754A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411172219.X

申请日：2024-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仓聚 ,  林士哲 ,  蔡承竣 ,  巫秉融 ,  柯皓文

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367

Abstract: 方法包括：沿晶圆形成第一接合焊盘；将第一管芯接合至第一组第一接合焊盘，第一管芯电连接至晶圆；在晶圆上方和第一管芯周围沉积间隙填充电介质；在间隙填充电介质中形成开口；形成与第二组第一接合焊盘物理接触的第一有源贯穿通孔以及与第三组第一接合焊盘物理接触的第一伪贯穿通孔，第一有源贯穿通孔电连接至晶圆，第一伪贯穿通孔与晶圆电隔离；沿第一管芯、第一有源贯穿通孔和第一伪贯穿通孔形成第二接合焊盘；以及将第二管芯接合至第一管芯并且接合至第一有源贯穿通孔的第一有源通孔。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106206499A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510298785.X

申请日：2015-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承竣 ,  张宏宾 ,  杨固峰 ,  陈怡秀 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/19

Abstract: 本发明提供了半导体器件和方法，该方法利用单个掩模来形成用于衬底通孔以及介电通孔的开口。在实施例中，在第一半导体器件和第二半导体器件上方和之间沉积接触蚀刻停止层。在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接触蚀刻停止层上方沉积介电材料。利用接触蚀刻停止层和介电材料的不同材料，使得单个掩模可以用于形成穿过第一半导体器件的衬底通孔并且以形成穿过介电材料的介电通孔。