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公开(公告)号：CN110931476A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811353356.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体封装件包括第一光学收发器、第二光学收发器、第三光学收发器及等离子体波导。所述第一光学收发器包括用于发送及接收光信号的至少一个光学输入/输出部。所述第二光学收发器堆叠在所述第一光学收发器上。所述第三光学收发器包括用于发送及接收光信号的至少一个光学输入/输出部。所述第三光学收发器堆叠在所述第二光学收发器上。所述等离子体波导穿透所述第二光学收发器且光学耦接所述第一光学收发器的所述至少一个光学输入/输出部及所述第三光学收发器的所述至少一个光学输入/输出部。
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公开(公告)号：CN110635848A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910114579.7
申请日：2019-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04B10/40
Abstract: 一种光学收发器，所述光学收发器包括光子集成电路组件、电集成电路组件及绝缘包封体。所述光子集成电路组件包括被配置成传送及接收光学信号的至少一个光学输入/输出部。所述电集成电路组件设置在所述光子集成电路组件上且电连接到所述光子集成电路组件。所述绝缘包封体覆盖所述光子集成电路组件的所述至少一个光学输入/输出部。所述绝缘包封体在侧向上包封所述电集成电路组件。所述绝缘包封体对所述光学信号是光学透明的。
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公开(公告)号：CN110911373A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811357620.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/482 , H01L21/683
Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括多个第一管芯以及绝缘包封体。所述多个第一管芯各自包括具有弯曲型图案的第一波导路径的第一波导层，其中所述多个第一管芯的所述第一波导层彼此光学耦合以形成光路。所述绝缘包封体包封所述多个第一管芯。
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公开(公告)号：CN119517754A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411172219.X
申请日：2024-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 方法包括：沿晶圆形成第一接合焊盘；将第一管芯接合至第一组第一接合焊盘，第一管芯电连接至晶圆；在晶圆上方和第一管芯周围沉积间隙填充电介质；在间隙填充电介质中形成开口；形成与第二组第一接合焊盘物理接触的第一有源贯穿通孔以及与第三组第一接合焊盘物理接触的第一伪贯穿通孔，第一有源贯穿通孔电连接至晶圆，第一伪贯穿通孔与晶圆电隔离；沿第一管芯、第一有源贯穿通孔和第一伪贯穿通孔形成第二接合焊盘；以及将第二管芯接合至第一管芯并且接合至第一有源贯穿通孔的第一有源通孔。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119495578A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411148966.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本申请的实施例提供了一种集成电路封装结构及其制造方法。制造集成电路封装结构的方法包括将顶部管芯接合到底部管芯，在顶部管芯上沉积第一介电衬垫，以及在第一介电衬垫上沉积间隙填充层。间隙填充层的第一热导率值高于氧化硅的第二热导率值。该方法还包括蚀刻间隙填充层和第一介电衬垫以形成贯穿开口，其中底部管芯中的金属焊盘暴露于贯穿开口，沉积衬垫贯穿开口的第二介电衬垫，用导电材料填充贯穿开口以形成连接到金属焊盘的穿通孔，以及形成再分布结构，再分布结构在顶部管芯和穿通孔上方并电连接到顶部管芯和穿通孔。
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