公开(公告)号：CN100592519C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200510073470.1

申请日：2005-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏玮 ,  吴炳坤 ,  王昭雄 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明是有关于一种具多晶方向的CMOS逻辑闸及其形成方法，是一种使用SOI与混合基材方向形成CMOS元件的方法。依照本发明的一较佳实施例，基材可具有多种结晶方向。基材中的逻辑闸可包括位于一结晶方向上的至少一N-FET及位于另一结晶方向上的至少一P-FET。基材中的另一逻辑闸可包括位于相同结晶方向上的至少一N-FET及至少一P-FET。而在本发明的其他较佳实施例中，则更包括确定基材的较佳分裂平面，以及定位相对于彼此的基材，以考量其的个别较佳分裂平面。其中，分裂平面较佳的为不平行。

公开(公告)号：CN100546047C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200510001734.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨富量 ,  杨育佳 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854

Abstract: 本发明提供了一种形成于SOI上的平面和多栅极晶体管结构及其制造方法，其中半导体元件，包括绝缘层、半导体层、第一晶体管与第二晶体管。半导体层位于绝缘层上。半导体层的第一部分具有第一厚度。半导体层的第二部分具有第二厚度。第二厚度大于第一厚度。第一晶体管具有由半导体层的第一部分形成的第一有源区。第二晶体管具有由半导体层的第二部分形成的第二有源区。举例来说，第一晶体管可以是平面型晶体管，而第二晶体管可以是多栅晶体管。

公开(公告)号：CN100481452C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410084052.8

申请日：2004-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄健朝 ,  陈光鑫 ,  杨富量

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66553 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其金属栅极的形成方法。其形成方法包括：提供一个基底，其上具有一个栅极；形成多个薄膜，具有位于基底与栅极上的第一薄膜，以及位于第一薄膜旁边的第二薄膜；刻蚀薄膜以形成多个相邻的隔离物，具有位于基底上且位于栅极旁边的第一隔离物，以及位于上述第一隔离物旁边的第二隔离物；刻蚀第一隔离物；形成一个紧邻栅极的金属层；以及使金属层与栅极发生反应，以形成一个金属栅极。本发明金属栅极的形成方法，可以形成不同材料的栅极，并且具有不同厚度的栅介电层，因而能够提高半导体装置的性能。

公开(公告)号：CN100477132C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200710000331.5

申请日：2007-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李自强 ,  杨富量 ,  黄俊仁 ,  李宗霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片、半导体装置与非易失性存储装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成一栅堆叠物于一基底上，栅堆叠物具有一侧壁；形成一ONO堆叠物于栅堆叠物上与侧壁旁；蚀刻ONO堆叠物以形成一ONO储存结构，ONO储存结构具有大体L型的剖面；形成一逻辑氧化间隔物于栅堆叠物与ONO储存结构上，使ONO储存结构中的一氮化物部分为ONO储存结构内的一氧化物与逻辑氧化间隔物的氧化物所围绕；形成一氮化物间隔物材料于栅堆叠物、ONO储存结构与逻辑氧化间隔物上；蚀刻氮化物间隔材料，以形成邻近栅堆叠物与位于至少部分的ONO储存结构与逻辑氧化间隔物上的一氮化物间隔物；于基底内形成邻近氮化物间隔物的一源极/漏极。

公开(公告)号：CN100466225C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510066520.3

申请日：2005-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹训志 ,  黄健朝 ,  杨富量

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片及其制造方法。本发明的半导体晶片，包括：环绕一集成电路区外部的一密封环区；一绝缘层上覆硅基底，包括一下方基底，一埋入绝缘层覆盖该下方基底，以及一上方硅层位于部分的该埋入绝缘层上方；以及一基底接触物，包括一接触沟槽延伸通过该埋入绝缘层且位于该集成电路区外部，该接触沟槽填入有一导电材料，使得该下方基底电性连结于该密封环区内的该密封环的该金属内连物。本发明所述半导体晶片及其制造方法所形成的基底接触物并不会复杂化集成电路的设计与制造，而有利于提高效率且降低成本。

公开(公告)号：CN1988179A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610121422.X

申请日：2006-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李自强 ,  杨富量 ,  黄俊仁 ,  李宗霖

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种非易失性浮置栅极存储单元及其制造方法。上述非易失性浮置栅极存储单元包括具有第一导电型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第一区域，具有相异于该第一导电型的第二导电型；位于半导体衬底上具有第二导电型的第二区域，与第一区域隔离；沟道区，连接第一区域与第二区域，做为电荷沟道；设置于沟道区上的介电层；设置于介电层上的控制栅极；设置于半导体衬底与控制栅极上的隧穿介电层；以及在隧穿介电层上的两个电荷储存点，彼此相隔离且位于控制栅极的侧壁相对的侧端上。本发明的二元非易失性存储器元件，由于两个多晶硅电荷储存点的距离可随控制栅极的宽度而跟着微缩，使得工艺的精度得以提升。

公开(公告)号：CN1979892A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510124395.7

申请日：2005-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨国男 ,  詹宜陵 ,  陈豪育 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种具有体接触窗的鳍状场效晶体管及其制造方法，该场效晶体管包括鳍状通道、源极、汲极、体接触窗、闸介电层与闸极。源极与汲极与鳍状通道的两端相接，体接触窗位于鳍状通道的一侧并藉由导线与其相接。闸介电层覆在鳍状通道的表面，而闸极位于鳍状通道的另一侧，并跨越其上。该场效晶体管的制造方法包括：形成绝缘层与半导体层，图案化半导体层以形成T形通道，同时形成源极、汲极与体接触窗分别于T形通道的三个端点上，源极与汲极位于T形通道的横向通道的相对两端点上。形成闸介电层于T形通道、源极、汲极与体接触窗上，形成导电层。图案化导电层以形成闸极跨越于T形通道的横向通道上，闸极与体接触窗分别位于T形通道的横向通道的两侧。

公开(公告)号：CN1253943C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN03153891.6

申请日：2003-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78687

Abstract: 具有多重栅极及应变的沟道层的晶体管的结构包括由垂直型半导体层构成的源极、漏极和沟道区所构成的晶体管，以及用以使沟道区中具有一应变的应力层。其中，栅极绝缘层位于垂直型鳍形半导体层的沟道区表面，栅极电极位于栅极绝缘层上，并包覆对应于沟道区的垂直型鳍形半导体层的两侧壁和一顶面。此外，本发明并提供具有多重栅极及应变的沟道层的晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN1251317C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN03153008.7

申请日：2003-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7854

Abstract: 本发明提供一种多栅极晶体管的结构及其制造方法，此结构包括一垂直半导体鳍状体、一栅极介电层、一栅极电极与一源极与一漏极。半导体鳍状体位于一衬底上方，衬底包括覆盖于一蚀刻终止层上方的一第一绝缘层，第一绝缘层在半导体鳍状体底部形成一底切，栅极介电层位于半导体鳍状体表面，栅极电极位于栅极介电层表面，而源极与漏极分别座落于栅极电极两侧，并位于半导体鳍状体中。

公开(公告)号：CN1670927A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410030050.0

申请日：2004-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨国男 ,  詹宜陵 ,  陈豪育 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种具有金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法。先于基底的主动区中形成沟渠，接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟渠的侧壁及其外缘，再形成闸介电层于暴露出的基底上。然后，在沟渠上形成栅极，再进行离子布植，以在第一绝缘间隙壁下方与栅极外侧的基底中形成源极/漏极。接着，在基底上形成绝缘层，再以非等向性蚀刻法蚀刻此绝缘层，以在栅极的侧壁上形成多个第二绝缘间隙壁，并暴露出栅极外侧的基底的表面。最后，形成硅化金属层于暴露出的栅极与基底的上表面。