公开(公告)号：CN1320658C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03156864.5

申请日：2003-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  陈豪育 ,  曹训志 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；多个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及多个抗凹蚀区，个别地设置于未为此些半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。

公开(公告)号：CN100477277C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510089249.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨富量 ,  杨育佳 ,  陈宏玮 ,  曹训志 ,  胡正明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片及半导体装置的制造方法，具体为一种绝缘层上覆半导体的装置，包含覆于一绝缘层上的一硅主动层，上述硅主动层具有 的晶格方向。上述绝缘层是位于具有 结晶方向的一基底上。具有 取向的晶体管则形成于上述硅主动层上。

公开(公告)号：CN1549348A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03156864.5

申请日：2003-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  陈豪育 ,  曹训志 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；复数个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及复数个抗凹蚀区(recess－resistant region)，个别地设置于未为此些半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。

公开(公告)号：CN1773727A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510089249.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨富量 ,  杨育佳 ,  陈宏玮 ,  曹训志 ,  胡正明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、半导体晶片及其制造方法，具体为一种绝缘层上覆半导体的装置，包含覆于一绝缘层上的一硅主动层，上述硅主动层具有 的晶格方向。上述绝缘层是位于具有 结晶方向的一基底上。具有 取向的晶体管则形成于上述硅主动层上。

公开(公告)号：CN1700451A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510066520.3

申请日：2005-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹训志 ,  黄健朝 ,  杨富量

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片及其制造方法。本发明的半导体晶片，包括：环绕一集成电路区外部的一密封环区；一绝缘层上覆硅基底，包括一下方基底，一埋入绝缘层覆盖该下方基底，以及一上方硅层位于部分的该埋入绝缘层上方；以及一基底接触物，包括一接触沟槽延伸通过该埋入绝缘层且位于该集成电路区外部，该接触沟槽填入有一导电材料，使得该下方基底电性连结于该密封环区内的该密封环的该金属内连物。本发明所述半导体晶片及其制造方法所形成的基底接触物并不会复杂化集成电路的设计与制造，而有利于提高效率且降低成本。

公开(公告)号：CN100466225C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510066520.3

申请日：2005-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹训志 ,  黄健朝 ,  杨富量

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体晶片及其制造方法。本发明的半导体晶片，包括：环绕一集成电路区外部的一密封环区；一绝缘层上覆硅基底，包括一下方基底，一埋入绝缘层覆盖该下方基底，以及一上方硅层位于部分的该埋入绝缘层上方；以及一基底接触物，包括一接触沟槽延伸通过该埋入绝缘层且位于该集成电路区外部，该接触沟槽填入有一导电材料，使得该下方基底电性连结于该密封环区内的该密封环的该金属内连物。本发明所述半导体晶片及其制造方法所形成的基底接触物并不会复杂化集成电路的设计与制造，而有利于提高效率且降低成本。

公开(公告)号：CN2731719Y

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200420049908.3

申请日：2004-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  陈豪育 ,  曹训志 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78603

Abstract: 本实用新型是关于一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构，此结构包括：一基底，其上设置有一绝缘层；多个半导体岛，分隔地设置于绝缘层上并部分遮蔽上述绝缘层；以及多个抗凹蚀区(recess－resistantregion)，个别地设置于未为此些半导体岛所遮蔽的该绝缘层内。