公开(公告)号：CN113013102B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202010935547.6

申请日：2020-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  林千 ,  林子玮 ,  谢忠儒 ,  赖经纶 ,  罗名凯

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。

公开(公告)号：CN113013102A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202010935547.6

申请日：2020-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  林千 ,  林子玮 ,  谢忠儒 ,  赖经纶 ,  罗名凯

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。