公开(公告)号：CN107039238B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201610907217.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭人华 ,  谢忠儒 ,  杨仁豪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成晶体管。从化学汽相沉积(CVD)装置的喷头提供前体气体以形成覆盖晶体管和衬底的接触蚀刻停止层(CESL)。喷头的温度控制在约70℃至约100℃的范围内以控制前体气体的温度。本发明的实施例还提供了化学汽相沉积装置。

公开(公告)号：CN108231685B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201711051864.6

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文进 ,  吴正一 ,  郑有宏 ,  郭人华 ,  刘响 ,  李锦思

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构，该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域，该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分，在沟槽中外延生长第一半导体层，在第一半导体层上方外延生长第二半导体层，通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向，并且在改变晶体刻面取向之后，在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。

公开(公告)号：CN108231685A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711051864.6

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文进 ,  吴正一 ,  郑有宏 ,  郭人华 ,  刘响 ,  李锦思

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构，该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域，该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分，在沟槽中外延生长第一半导体层，在第一半导体层上方外延生长第二半导体层，通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向，并且在改变晶体刻面取向之后，在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。

公开(公告)号：CN107039238A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610907217.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭人华 ,  谢忠儒 ,  杨仁豪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成晶体管。从化学汽相沉积(CVD)装置的喷头提供前体气体以形成覆盖晶体管和衬底的接触蚀刻停止层(CESL)。喷头的温度控制在约70℃至约100℃的范围内以控制前体气体的温度。本发明的实施例还提供了化学汽相沉积装置。