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公开(公告)号:CN108231685B
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN201711051864.6
申请日:2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括提供半导体结构,该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构,该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域,该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽,其中,该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分,在沟槽中外延生长第一半导体层,在第一半导体层上方外延生长第二半导体层,通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向,并且在改变晶体刻面取向之后,在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。
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公开(公告)号:CN108620856B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201710152292.4
申请日:2017-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B23P19/06
Abstract: 一种组装平台系统与其操作方法。组装平台系统包含一组装平台、一处理模块与一锁附感测单元。组装平台包括一锁附工具。处理模块包含一存储单元、一处理单元与一记录单元。存储单元包含预设锁附规格。处理单元电性连接存储单元与锁附工具,处理单元选择其中一预设锁附规格,以及驱动锁附工具遵照预设锁附规格将其中一螺丝锁附于一工件上。锁附感测单元感测锁附工具锁附螺丝至工件所反馈的实测数据。在每一螺丝被锁附于工件上的过程中,记录单元记录这些实测数据。
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公开(公告)号:CN108231685A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711051864.6
申请日:2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括提供半导体结构,该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构,该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域,该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽,其中,该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分,在沟槽中外延生长第一半导体层,在第一半导体层上方外延生长第二半导体层,通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向,并且在改变晶体刻面取向之后,在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。
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公开(公告)号:CN108620856A
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201710152292.4
申请日:2017-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B23P19/06
Abstract: 一种组装平台系统与其操作方法。组装平台系统包含一组装平台、一处理模块与一锁附感测单元。组装平台包括一锁附工具。处理模块包含一存储单元、一处理单元与一记录单元。存储单元包含预设锁附规格。处理单元电性连接存储单元与锁附工具,处理单元选择其中一预设锁附规格,以及驱动锁附工具遵照预设锁附规格将其中一螺丝锁附于一工件上。锁附感测单元感测锁附工具锁附螺丝至工件所反馈的实测数据。在每一螺丝被锁附于工件上的过程中,记录单元记录这些实测数据。
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