公开(公告)号：CN108231685A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711051864.6

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文进 ,  吴正一 ,  郑有宏 ,  郭人华 ,  刘响 ,  李锦思

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构，该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域，该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分，在沟槽中外延生长第一半导体层，在第一半导体层上方外延生长第二半导体层，通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向，并且在改变晶体刻面取向之后，在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。

公开(公告)号：CN108231685B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201711051864.6

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈文进 ,  吴正一 ,  郑有宏 ,  郭人华 ,  刘响 ,  李锦思

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构，该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域，该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分，在沟槽中外延生长第一半导体层，在第一半导体层上方外延生长第二半导体层，通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向，并且在改变晶体刻面取向之后，在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。