公开(公告)号：CN107039238A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610907217.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭人华 ,  谢忠儒 ,  杨仁豪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成晶体管。从化学汽相沉积(CVD)装置的喷头提供前体气体以形成覆盖晶体管和衬底的接触蚀刻停止层(CESL)。喷头的温度控制在约70℃至约100℃的范围内以控制前体气体的温度。本发明的实施例还提供了化学汽相沉积装置。

公开(公告)号：CN107039238B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201610907217.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭人华 ,  谢忠儒 ,  杨仁豪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成晶体管。从化学汽相沉积(CVD)装置的喷头提供前体气体以形成覆盖晶体管和衬底的接触蚀刻停止层(CESL)。喷头的温度控制在约70℃至约100℃的范围内以控制前体气体的温度。本发明的实施例还提供了化学汽相沉积装置。