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公开(公告)号:CN112999701B
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN201911330591.8
申请日:2019-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: B01D19/02
Abstract: 本公开涉及用于从粘性流体去除气泡的设备。一种去气泡滑块被配置为装配在分配容器中,并利用接收元件将流体流从流体入口捕获到分配容器中。去气泡滑块的接收元件将流体流引导至去气泡滑块的流动表面,溶解在流体流中的气体或流体流中的气泡从该流动表面逸出流体。去气泡滑块的上表面中的开口允许逸出的气体离开去气泡滑块。
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公开(公告)号:CN112999701A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201911330591.8
申请日:2019-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: B01D19/02
Abstract: 本公开涉及用于从粘性流体去除气泡的设备。一种去气泡滑块被配置为装配在分配容器中,并利用接收元件将流体流从流体入口捕获到分配容器中。去气泡滑块的接收元件将流体流引导至去气泡滑块的流动表面,溶解在流体流中的气体或流体流中的气泡从该流动表面逸出流体。去气泡滑块的上表面中的开口允许逸出的气体离开去气泡滑块。
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公开(公告)号:CN100411185C
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200510103048.6
申请日:2005-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14687
Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上,通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器,形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层,移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器,并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。
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公开(公告)号:CN1750267A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200510103048.6
申请日:2005-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14687
Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上,通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器,形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层,移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器,并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。
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公开(公告)号:CN114609866A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202110142399.7
申请日:2021-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本公开涉及用于改进光致抗蚀剂涂覆操作的系统、装置和方法。一种涂覆系统包括器皿、器皿内的柔性容器和涂覆装置。柔性容器包括出口端口,其中柔性容器被配置为响应于器皿内的压力增加而收缩。柔性容器被配置为响应于收缩通过出口端口输出涂覆成分。涂覆装置被配置为从出口端口接收涂覆成分。
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