公开(公告)号：CN100411185C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510103048.6

申请日：2005-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张伟 ,  林建良 ,  杨荣成 ,  洪家骏 ,  刘时闵

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14687

Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器，并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。

公开(公告)号：CN1750267A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510103048.6

申请日：2005-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张伟 ,  林建良 ,  杨荣成 ,  洪家骏 ,  刘时闵

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14687

Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器，并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。