公开(公告)号：CN115663006A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211439745.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡建欣 ,  吴正一 ,  周佳兴 ,  林艺民 ,  林明辉 ,  李锦思

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

公开(公告)号：CN115036199A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110244695.8

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  郑智龙 ,  黄柏智 ,  林艺民 ,  陈冠廷 ,  王仁珏 ,  庄智尧

IPC: H01J25/50 ,  H01J63/02 ,  H01L21/263

Abstract: 一种微波产生器、紫外光源，与基板处理方法，微波产生器包含核心组件、第一磁性元件、第二磁性元件以及散热件。核心组件包含第一电极元件与套接于第一电极元件的第二电极元件。第一磁性元件套接于第一电极元件，第二磁性元件套接于第一电极元件，并与第一磁性元件分开。第二电极元件位于第一磁性元件与第二磁性元件之间。散热件包含至少一散热鳍片，散热鳍片朝向第二磁性元件延伸。

公开(公告)号：CN112397535A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。

公开(公告)号：CN108962922A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710646919.1

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  林群智 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  张文山 ,  林艺民 ,  张朝钦 ,  陈志轩 ,  李锦思 ,  蔡育廷

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。

公开(公告)号：CN106981474A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610729455.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  吴正一 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  林艺民 ,  李锦思 ,  张文山 ,  陈宜辉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76898

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。

公开(公告)号：CN111128794B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201911036415.3

申请日：2019-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  林艺民 ,  万昭宏

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 用于扩散气体的扩散器包括基部和流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件，此扩散器元件配置以使气体的第一部分透过扩散器元件的圆周扩散，并且使气体的第二部分透过扩散器元件的端面扩散。头部还包括连接结构，此连接结构具有第一连接部分和第二连接部分，其中第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内，而第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以耦合于基部。

公开(公告)号：CN111584336B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201910120050.6

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  林艺民 ,  李志聪 ,  邱云姿 ,  万昭宏

IPC: H01J37/32

Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部，且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面，并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面，且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中，并邻近本体的侧面。

公开(公告)号：CN110310901B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201810723869.7

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  林艺民 ,  叶致宏 ,  王子元

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明实施例公开清洁工艺腔室的方法。一种清洁工艺腔室的方法包括以下步骤。在所述工艺腔室的内部表面上交替地形成多个工艺膜及多个非工艺膜。执行清洁操作，以从所述工艺腔室的所述内部表面除去所述多个工艺膜及所述多个非工艺膜。

公开(公告)号：CN109326617B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711116403.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  周正贤 ,  黄琮伟 ,  林明辉 ,  林艺民

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。

公开(公告)号：CN109326617A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711116403.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  周正贤 ,  黄琮伟 ,  林明辉 ,  林艺民

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。