公开(公告)号：CN112397535A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。

公开(公告)号：CN112397535B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。

公开(公告)号：CN113809105A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110234486.5

申请日：2021-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄琮伟 ,  张朝钦 ,  郑允玮 ,  郑智龙 ,  陈言彰 ,  蔡文仁 ,  林政翰 ,  池昱勳 ,  李昇展 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。