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公开(公告)号：CN113809105A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110234486.5
申请日：2021-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。
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