公开(公告)号：CN113327905B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202110184824.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信吉 ,  黄薰瑩 ,  李智铭 ,  吴尚彦 ,  杨智安 ,  何弘伟 ,  张朝钦 ,  黄琮伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。

公开(公告)号：CN113809105A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110234486.5

申请日：2021-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄琮伟 ,  张朝钦 ,  郑允玮 ,  郑智龙 ,  陈言彰 ,  蔡文仁 ,  林政翰 ,  池昱勳 ,  李昇展 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。

公开(公告)号：CN113327905A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110184824.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信吉 ,  黄薰瑩 ,  李智铭 ,  吴尚彦 ,  杨智安 ,  何弘伟 ,  张朝钦 ,  黄琮伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。

公开(公告)号：CN109326617B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201711116403.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  周正贤 ,  黄琮伟 ,  林明辉 ,  林艺民

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。

公开(公告)号：CN109326617A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711116403.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  周正贤 ,  黄琮伟 ,  林明辉 ,  林艺民

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。