公开(公告)号：CN113327905B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202110184824.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信吉 ,  黄薰瑩 ,  李智铭 ,  吴尚彦 ,  杨智安 ,  何弘伟 ,  张朝钦 ,  黄琮伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。

公开(公告)号：CN113327905A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110184824.9

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信吉 ,  黄薰瑩 ,  李智铭 ,  吴尚彦 ,  杨智安 ,  何弘伟 ,  张朝钦 ,  黄琮伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。