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公开(公告)号：CN118800780A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410477761.X
申请日：2024-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 一种光感测器阵列与近红外光感测器装置及其制造方法。近红外光感测器装置包括用以侦测至少在设计基准红外波长下的红外光的近红外光感测器；及至少包括嵌入于近红外光感测器的光接收表面中的嵌入光栅的表面电浆极化子结构。表面电浆极化子结构用以与在设计基准红外波长下的光耦合，以在近红外光感测器的光接收表面处形成表面电浆极化子。表面电浆极化子结构可更包括设置于近红外光感测器的光接收表面上且与嵌入光栅对准的金属光栅。嵌入光栅可包括嵌入于近红外光感测器的光接收表面中的嵌入金属光栅或形成于近红外光感测器的光接收表面中且至少部分地填充有空气的沟槽。
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公开(公告)号：CN115528051A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210439162.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，在一些实施中，一种像素阵列可包括用于像素阵列的可见光像素感测器的一近红外截止滤光层。近红外截止滤光层包括于像素阵列中，以吸收或反射近红外光以使这些可见光像素感测器减少由这些可见光像素感测器吸收的近红外光的量。此提高由这些可见光像素感测器提供的颜色信息的准确性，颜色信息可用于产生更准确的影像。在一些实施中，这些可见光像素感测器及/或近红外像素感测器可包括高吸收区以调整这些可见光像素感测器及/或这些近红外像素感测器的折射角的定向，此可增大这些可见光像素感测器及/或这些近红外像素感测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN114695402A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110482590.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提出一种影像感测器装置与其形成方法，影像感测器装置包括半导体层，其具有第一表面与第二表面，第一表面相对于第二表面。此装置包括设置在第一表面上的导电结构，并且在导电结构和第一表面之间设置有介电层。此装置包括第一介电层，设置于半导体基板的第二表面之上。此装置包括第二介电层，设置于第一介电层之上。此装置包括彩色滤光层，设置于第二介电层之上。在一些实施例中，第一介电层的厚度、折射率或这两者和第二介电层的厚度、折射率或这两者是共同地决定，导致入射辐射穿过第一介电层和第二介电层，并在像素上具有破坏性干涉。
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公开(公告)号：CN110943099B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910903981.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 图像传感器器件具有设置在衬底中的第一数量的第一像素和设置在衬底中的第二数量的第二像素。第一数量基本上等于第二数量。光阻挡结构设置在第一像素和第二像素上方。光阻挡结构限定多个第一开口和第二开口，光可以穿过第一开口和第二开口。第一开口设置在第一像素上方。第二开口设置在第二像素上方。第二开口小于第一开口。微控制器配置为在不同的时间点导通不同的第二像素。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的操作方法。
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公开(公告)号：CN113921544A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110182034.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，像素阵列包含八边形像素感测器及正方形像素感测器。八边形像素感测器可与正方形像素感测器穿插在像素阵列中，以增加像素阵列中的空间利用且允许像素阵列中的像素感测器不同地设定大小。此外，像素阵列可包含以下的组合：红色、绿色及蓝色像素感测器，以自入射光获得颜色信息；黄色像素感测器，用于像素阵列的蓝色及绿色增强及校正；近红外(NIR)像素感测器，以提高像素阵列的轮廓清晰度及低光表现；及/或白色像素感测器，以提高像素阵列的光敏度及亮度。配置不同大小及类型的像素感测器的能力容许像素阵列形成及/或配置以满足各种表现参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786406A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810920751.3
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及可以用于在背侧照明图像传感器器件上形成光阻挡材料层的方法。光阻挡材料层可以阻挡或吸收以掠入角进入背侧照明图像传感器器件的光线。可以使用不需要使用光刻掩模或光刻操作的自对准工艺来形成光阻挡材料层。例如，光阻挡材料层可以形成在图像传感器器件上方并且随后被蚀刻，使得光阻挡材料层保持在以掠入角入射的光线进入背侧照明图像传感器器件的区域中。本发明的实施例还涉及用于图像传感器器件的光阻挡层。
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公开(公告)号：CN105023928B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201410311837.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在衬底的第二侧上方。每个辐射阻挡结构都与相应的间隙对准。多个滤色器设置在辐射阻挡结构之间。本发明还提供了一种形成半导体图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN106531750A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510979967.3
申请日：2015-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14625 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件，包括衬底、器件层、抗反射涂层、反射结构、复合栅格结构、钝化层和滤光镜。器件层设置在衬底上，其中沟槽形成在器件层和衬底中。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构分别设置在沟槽中的抗反射涂层上。复合栅格结构位于在抗反射涂层和反射结构上方。复合栅格结构包括穿过复合栅格结构的空腔，并且复合栅格结构包括顺序堆叠在反射结构上的金属栅格层和介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅格结构。滤光镜分别填充空腔。本发明提供了一种具有串扰改善的CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN106057834A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510674161.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有设置在金属栅格的侧壁之间的滤色器的BSI图像传感器和形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器具有位于半导体衬底内的像素传感器，和位于像素传感器上面的介电材料层。金属栅格通过介电材料层与半导体衬底分隔开，以及堆叠栅格布置在金属栅格上方。堆叠栅格邻接开口，开口从堆叠栅格的上表面垂直延伸至横向布置在金属栅格的侧壁之间的位置。滤色器可以布置在开口内。通过使滤色器在金属栅格的侧壁之间垂直地延伸，滤色器和像素传感器之间的距离可以较小，从而提高BSI图像传感器的性能。本发明的实施例还涉及被堆叠栅极结构深埋的滤色器阵列。
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公开(公告)号：CN104051474A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310241562.0
申请日：2013-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L27/1446 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一个或多个图像传感器以及将光导向光电二极管的技术。一种具有堆叠栅格结构的图像传感器包括金属栅格，该金属栅给被配置成朝向相应的光电二极管引导光且使光偏离其他光电二极管中。该图像传感器还包括位于金属栅格之上的介电栅格和填充栅格用以将光导向相应的光电二极管且将其从其他光电二极管中导出，在此该填充栅格具有与介电栅格不同的折射率。通过这种方式消除了串扰以及由通过错误的光电二极管探测光而导致出现的其他问题。
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