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公开(公告)号:CN114695402A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202110482590.6
申请日:2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提出一种影像感测器装置与其形成方法,影像感测器装置包括半导体层,其具有第一表面与第二表面,第一表面相对于第二表面。此装置包括设置在第一表面上的导电结构,并且在导电结构和第一表面之间设置有介电层。此装置包括第一介电层,设置于半导体基板的第二表面之上。此装置包括第二介电层,设置于第一介电层之上。此装置包括彩色滤光层,设置于第二介电层之上。在一些实施例中,第一介电层的厚度、折射率或这两者和第二介电层的厚度、折射率或这两者是共同地决定,导致入射辐射穿过第一介电层和第二介电层,并在像素上具有破坏性干涉。