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公开(公告)号：CN114695402A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110482590.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提出一种影像感测器装置与其形成方法，影像感测器装置包括半导体层，其具有第一表面与第二表面，第一表面相对于第二表面。此装置包括设置在第一表面上的导电结构，并且在导电结构和第一表面之间设置有介电层。此装置包括第一介电层，设置于半导体基板的第二表面之上。此装置包括第二介电层，设置于第一介电层之上。此装置包括彩色滤光层，设置于第二介电层之上。在一些实施例中，第一介电层的厚度、折射率或这两者和第二介电层的厚度、折射率或这两者是共同地决定，导致入射辐射穿过第一介电层和第二介电层，并在像素上具有破坏性干涉。
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公开(公告)号：CN113053929B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010935575.8
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法，半导体结构包括光电二极管，其中光电二极管包括具有第一导电类型掺杂的基板半导体层、与基板半导体层形成p‑n接面的第二导电类型光电二极管层、与第二导电类型光电二极管层侧向分隔的浮动扩散区域，以及传送栅极电极。传送栅极电极包括形成在基板半导体层中的传送栅极电极下部，且传送栅极电极下部位于第二导电类型光电二极管层和浮动扩散区域之间。传送栅极电极可侧向环绕p‑n接面，并提供增强的电子传输效率从p‑n接面到浮动扩散区域。光电二极管阵列可用于影像感测器中。
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公开(公告)号：CN113206115A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110143613.0
申请日：2021-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种操作装置的方法、半导体结构以及影像感测器，装置包括光电侦测器电路，此光电侦测器电路包括光电侦测器及感测电路，此光电侦测器及感测电路位于具有第一导电类型的掺杂的基板半导体层上方。光电侦测器包括：第二导电类型的钉扎光电二极管层，其与基板半导体层形成p‑n接面；至少一个浮动扩散区域，此浮动扩散区域与第二导电类型的钉扎光电二极管层的周边横向地间隔开；以及至少一个转移栅极。可通过将至少两个不同脉冲图案施加到至少一个转移栅极来执行至少两个不同操作。至少两个不同脉冲图案相互或彼此在以下至少一项上不同：脉冲持续时间、脉冲幅度以及施加到感测电路的控制信号与至少一个转移栅极的相应一者处的脉冲启动之间的延迟时间。
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公开(公告)号：CN113206115B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110143613.0
申请日：2021-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种操作装置的方法、半导体结构以及影像感测器，装置包括光电侦测器电路，此光电侦测器电路包括光电侦测器及感测电路，此光电侦测器及感测电路位于具有第一导电类型的掺杂的基板半导体层上方。光电侦测器包括：第二导电类型的钉扎光电二极管层，其与基板半导体层形成p‑n接面；至少一个浮动扩散区域，此浮动扩散区域与第二导电类型的钉扎光电二极管层的周边横向地间隔开；以及至少一个转移栅极。可通过将至少两个不同脉冲图案施加到至少一个转移栅极来执行至少两个不同操作。至少两个不同脉冲图案相互或彼此在以下至少一项上不同：脉冲持续时间、脉冲幅度以及施加到感测电路的控制信号与至少一个转移栅极的相应一者处的脉冲启动之间的延迟时间。
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公开(公告)号：CN114784027A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110814753.6
申请日：2021-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露内容是有关于一种像素感测件及其制造方法，像素感测件包含传输鳍式场效晶体管，以从光电二极管传输光电流至漏极区域。传输鳍式场效晶体管包含光电二极管的至少一部分、与漏极区域相关的延伸区域、多个通道鳍及传输栅极，其中传输栅极至少部分环绕此些通道鳍，以控制传输鳍式场效晶体管的运作。在传输鳍式场效晶体管中，传输栅极包覆每个通道鳍(如：至少三侧)，而提供传输栅极上方较大的表面积，让传输栅极能控制电子传输。较大的表面积使得对传输鳍式场效晶体管的控制较佳，从而可降低像素感测件的切换时间(因而使得像素感测件的性能更快)，且可减少与平面传输晶体管相关的像素感测件的漏电流。
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公开(公告)号：CN114613793A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110529604.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体结构，子像素包括至少一第二导电型铰接光二极管层、至少一浮动扩散区域及至少一转移栅极堆叠结构。至少一第二导电型铰接光二极管层与基板半导体层形成PN接面。至少一转移栅极堆叠结构可围绕第二导电型铰接光二极管层的几何中心而以介于240度到360度之间的总方位延伸角来至少部分横向地包围至少一第二导电型铰接光二极管层。至少一转移栅极堆叠结构可包含分别覆盖至少一第二导电型铰接光二极管层的周边的不同区段的多个边缘。浮动扩散区域包含位于第一边缘与第二边缘之间的一部分。此外，子像素可存在多个转移栅极堆叠结构与多个浮动扩散区域。
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公开(公告)号：CN113224091A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110080169.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种影像感测装置以及其制造方法。该方法包含在一基板上形成多个感光像素；在该基板上，沉积一介电质层；蚀刻该介电质层，在该介电质层中造成一第一凹槽，该第一凹槽横向地环绕这些感光像素；在该第一凹槽中，形成一挡光结构，而使该挡光结构横向地环绕这些感光像素。
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公开(公告)号：CN113053929A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010935575.8
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法，半导体结构包括光电二极管，其中光电二极管包括具有第一导电类型掺杂的基板半导体层、与基板半导体层形成p‑n接面的第二导电类型光电二极管层、与第二导电类型光电二极管层侧向分隔的浮动扩散区域，以及传送栅极电极。传送栅极电极包括形成在基板半导体层中的传送栅极电极下部，且传送栅极电极下部位于第二导电类型光电二极管层和浮动扩散区域之间。传送栅极电极可侧向环绕p‑n接面，并提供增强的电子传输效率从p‑n接面到浮动扩散区域。光电二极管阵列可用于影像感测器中。
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