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公开(公告)号：CN115528051A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210439162.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，在一些实施中，一种像素阵列可包括用于像素阵列的可见光像素感测器的一近红外截止滤光层。近红外截止滤光层包括于像素阵列中，以吸收或反射近红外光以使这些可见光像素感测器减少由这些可见光像素感测器吸收的近红外光的量。此提高由这些可见光像素感测器提供的颜色信息的准确性，颜色信息可用于产生更准确的影像。在一些实施中，这些可见光像素感测器及/或近红外像素感测器可包括高吸收区以调整这些可见光像素感测器及/或这些近红外像素感测器的折射角的定向，此可增大这些可见光像素感测器及/或这些近红外像素感测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN113921544A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110182034.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，像素阵列包含八边形像素感测器及正方形像素感测器。八边形像素感测器可与正方形像素感测器穿插在像素阵列中，以增加像素阵列中的空间利用且允许像素阵列中的像素感测器不同地设定大小。此外，像素阵列可包含以下的组合：红色、绿色及蓝色像素感测器，以自入射光获得颜色信息；黄色像素感测器，用于像素阵列的蓝色及绿色增强及校正；近红外(NIR)像素感测器，以提高像素阵列的轮廓清晰度及低光表现；及/或白色像素感测器，以提高像素阵列的光敏度及亮度。配置不同大小及类型的像素感测器的能力容许像素阵列形成及/或配置以满足各种表现参数。
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公开(公告)号：CN114784027A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110814753.6
申请日：2021-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露内容是有关于一种像素感测件及其制造方法，像素感测件包含传输鳍式场效晶体管，以从光电二极管传输光电流至漏极区域。传输鳍式场效晶体管包含光电二极管的至少一部分、与漏极区域相关的延伸区域、多个通道鳍及传输栅极，其中传输栅极至少部分环绕此些通道鳍，以控制传输鳍式场效晶体管的运作。在传输鳍式场效晶体管中，传输栅极包覆每个通道鳍(如：至少三侧)，而提供传输栅极上方较大的表面积，让传输栅极能控制电子传输。较大的表面积使得对传输鳍式场效晶体管的控制较佳，从而可降低像素感测件的切换时间(因而使得像素感测件的性能更快)，且可减少与平面传输晶体管相关的像素感测件的漏电流。
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公开(公告)号：CN113921546A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110210091.1
申请日：2021-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列与像素感测器的制造方法，像素阵列包含八边形像素感测器及可见光像素感测器(例如，红色、绿色、及蓝色像素感测器)及近红外线(NIR)像素感测器的组合。可结合通过可见光像素感测器所获得的颜色信息及由近红外线光像素感测器所获得的亮度，以增加像素阵列的弱光性能，并可使用在弱光应用中的弱光彩色图像。可将八边形像素感测器散布在带有正方形像素感测器的像素阵列中，以增加像素阵列中的空间利用率，并允许像素阵列中的像素感测器为不同尺寸。容纳不同尺寸的可见光像素感测器及近红外线光像素感测器的能力，容许形成及/或配置像素阵列以满足各种性能参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116799020A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310556837.3
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/142 , H01L21/18
Abstract: 本申请公开了太阳能电池和图像传感器的集成。本公开提供了一种具有太阳能电池和图像传感器阵列的集成电路(IC)结构。根据本公开的集成电路结构包括：第一衬底，包括多个光电二极管；互连结构，设置在第一衬底上；第一接合层，设置在互连结构上；第二接合层，设置在第一接合层上；第二衬底，设置在第二接合层上；以及透明导电氧化物层，设置在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN113594192A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110811899.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体器件包括：第一类型的光感测单元，其中，第一类型的光感测单元的每个示例可操作的以接收第一辐射量；以及第二类型的光感测单元，其中，第二类型的光感测单元的的每个示例可操作的以接收第二辐射量，并且将第二类型的光感测单元与第一类型的光感测单元布置在阵列中，以形成像素传感器。第一辐射量小于第二辐射量，并且第一类型的光感测单元的至少第一示例与第一类型的光感测单元的的第二示例相邻。本发明的实施例还涉及半导体图像传感器以及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114975492A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110854836.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一像像素感测器、像素阵列及其方法，素感测器可包括延伸一基板的完全高度的一深沟渠隔离结构，该像素感测器的一光电二极管包括于该基板中。以一非正交角进入该像素感测器的入射光沿着该基板的完全高度由该深沟渠隔离结构吸收或反射。以此方式，该深沟渠隔离结构可减少、最小化及/或防止该入射光沿着该基板的完全高度行进穿过该像素感测器且进入一邻近像素感测器中。此可增大一影像感测器(该深沟渠隔离结构包括于其中)的空间解析度，可提高该影像感测器的整体敏感度，可减少及/或防止该影像感测器的像素感测器之间的色彩混合，及/或可减小色彩校正之后的影像杂讯。
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公开(公告)号：CN114764144A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110806023.1
申请日：2021-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01S17/894 , G01S17/08 , H04N5/374
Abstract: 一种像素阵列及其制造方法，像素阵列可包含飞时测距(ToF)感测器群组。像素阵列可包含影像感测器，此影像感测器包含像素感测器群组。影像感测器可设于飞时测距感测器群组中，以使影像感测器邻近飞时测距感测器群组中的每个飞时测距感测器。
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公开(公告)号：CN114678387A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110653298.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素感测器及其形成方法和像素阵列，像素感测器可包含垂直排列或垂直堆叠的光二极管区和浮置扩散区。垂直排列准许光二极管区相对于水平排列占用给定尺寸的像素感测器的较大区域，其增加光二极管区可收集光子的区域。此增加像素感测器的效能，且可减小像素感测器的整体尺寸。再者，转移栅极可围绕浮置扩散区和光二极管区的至少一部分，其相对于水平排列提供较大的栅极切换区。增加的栅极切换区可在光电流转移期间提供较佳的控制和/或可减少像素感测器的切换延迟。
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