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公开(公告)号：CN105023928B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201410311837.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在衬底的第二侧上方。每个辐射阻挡结构都与相应的间隙对准。多个滤色器设置在辐射阻挡结构之间。本发明还提供了一种形成半导体图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN105280652A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410723334.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31116 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器。一种半导体图像传感器件包括衬底，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区域位于衬底中。辐射感测区域被配置为感测从第二侧进入衬底的辐射。多个阻光结构设置在衬底的第二侧上方。钝化层涂覆在每一个阻光结构的顶面和侧壁上。多个间隔件设置在钝化层的涂覆在阻光结构侧壁上的部分上。
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公开(公告)号：CN105280652B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410723334.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31116 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器。一种半导体图像传感器件包括衬底，衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区域位于衬底中。辐射感测区域被配置为感测从第二侧进入衬底的辐射。多个阻光结构设置在衬底的第二侧上方。钝化层涂覆在每一个阻光结构的顶面和侧壁上。多个间隔件设置在钝化层的涂覆在阻光结构侧壁上的部分上。
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公开(公告)号：CN105023928A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410311837.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L2224/48463
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在衬底的第二侧上方。每个辐射阻挡结构都与相应的间隙对准。多个滤色器设置在辐射阻挡结构之间。本发明还提供了一种形成半导体图像传感器的方法。
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