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公开(公告)号：CN118983326A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410322005.X
申请日：2024-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01S5/026
Abstract: 本揭露关于一种光电装置及其形成方法。本揭露所描述的一些实施方式包括用于微光应用的光电装置及用于形成光电装置的技术。光电装置包括近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器及可见光像素感测器。近红外光垂直腔表面发射激光装置及近红外光像素感测器包含选择性生长的磊晶材料(例如硅锗、砷化镓或另一III/V型材料)，磊晶材料改善近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器的效能。
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公开(公告)号：CN114823401A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210088774.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开揭示一种半导体晶圆和其制造方法。方法包括将半导体晶圆暴露于一或多个掺杂剂种类以形成半导体晶圆上的一或多个第一布植层、测试所形成的一或多个第一布植层的一或多个几何参数值、在测试一或多个几何参数值之后有条件地将半导体晶圆暴露于一或多个掺杂剂种类以形成半导体晶圆上的一或多个额外布植层、在形成一或多个额外布植层之后有条件地形成半导体晶圆上的一或多个额外电路层以形成半导体晶圆上的多个功能性电路，以及以晶圆允收测试步骤有条件地测试半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN113921545A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110198976.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，像素阵列可包含位于像素感测器的光电二极管下方的气隙反射结构，以反射光子，否则光子将部分折射或散射通过光电二极管的底表面。气隙反射结构可将光子向上朝着光电二极管反射，使得光子可被光电二极管吸收。此举可能增加由光电二极管吸收的光子的数量，可提高像素感测器及像素阵列的量子效率。
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公开(公告)号：CN118800780A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410477761.X
申请日：2024-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 一种光感测器阵列与近红外光感测器装置及其制造方法。近红外光感测器装置包括用以侦测至少在设计基准红外波长下的红外光的近红外光感测器；及至少包括嵌入于近红外光感测器的光接收表面中的嵌入光栅的表面电浆极化子结构。表面电浆极化子结构用以与在设计基准红外波长下的光耦合，以在近红外光感测器的光接收表面处形成表面电浆极化子。表面电浆极化子结构可更包括设置于近红外光感测器的光接收表面上且与嵌入光栅对准的金属光栅。嵌入光栅可包括嵌入于近红外光感测器的光接收表面中的嵌入金属光栅或形成于近红外光感测器的光接收表面中且至少部分地填充有空气的沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364571A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810789550.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一实施例为半导体装置的形成方法。方法包括形成鳍状物于基板上。形成栅极结构于鳍状物上。形成凹陷于与栅极结构相邻的鳍状物中。以p型掺质形成组成渐变掺杂区于鳍状物中。组成渐变掺杂区自凹陷的下表面延伸至垂直深度，且垂直深度低于鳍状物中的凹陷。形成源极/漏极区于凹陷中与组成渐变掺杂区上。
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公开(公告)号：CN110364571B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810789550.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一实施例为半导体装置的形成方法。方法包括形成鳍状物于基板上。形成栅极结构于鳍状物上。形成凹陷于与栅极结构相邻的鳍状物中。以p型掺质形成组成渐变掺杂区于鳍状物中。组成渐变掺杂区自凹陷的下表面延伸至垂直深度，且垂直深度低于鳍状物中的凹陷。形成源极/漏极区于凹陷中与组成渐变掺杂区上。
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公开(公告)号：CN222190731U
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202420813915.3
申请日：2024-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/79
Abstract: 本文所述的一些实施提供半导体装置，包含：硅结构的层、在硅结构的层内的近红外光电二极管、在硅结构的层内的近红外发光二极管、及在近红外光电二极管与近红外发光二极管之间的深沟槽隔离结构。在硅结构的层内的近红外光电二极体二极管包含第一磊晶结构。在硅结构的层内的近红外发光二极体二极管包含第二磊晶结构。
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公开(公告)号：CN222146238U
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202420854364.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置。半导体装置包含光电二极管及至少部分地围绕光电二极管的隔离结构。半导体装置包含在隔离结构上的网格结构，其中网格结构包含具有至少一个空气间隙的金属层及至少一个介电层。形成在像素阵列中的像素感测器之间的网格结构上的空气间隙的屏蔽结构降低串扰。像素感测器的效率及信噪比是由于串扰降低而增加。因为空气间隙不吸收光子，屏蔽结构亦增加像素阵列的量子效率。
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公开(公告)号：CN222706903U
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202420938717.X
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本揭露是关于一种具有包含量子点材料的光电二极管的光电装置。本文中所描述的一些实施方式包含一种用于在微光环境中使用的影像侦测系统的互补金属氧化物半导体影像感测器装置。互补金属氧化物半导体影像感测器装置包含用于侦测近红外光波及/或短波红外光波的光电二极管。光电二极管包含量子点材料的一层及位于量子点材料的该层上方的透明电极。除了相对于硅基光电二极管具有经改进量子效率的该光电二极管之外，该光电二极管亦经整合于滤光器阵列结构内，以消除对在影像侦测系统中分离单独的可见光互补金属氧化物半导体影像感测器装置的需要。
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