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公开(公告)号：CN117219611A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310952022.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/48
Abstract: 本揭露描述一种半导体装置结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包含装置及设置在装置上方的第一介电层。气隙位于第一介电层中。结构进一步包含设置在第一介电层中的导电特征，且第一介电层包含设置在气隙与导电特征的第一侧之间的第一部分及邻近导电特征的与第一侧相对的第二侧设置的第二部分。第一部分具有第一氮浓度，且第二部分具有实质上小于第一氮浓度的第二氮浓度。
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公开(公告)号：CN114464664A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110400179.X
申请日：2021-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L23/538 , H01L29/78 , H01L21/764 , H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置与其制造方法，半导体装置可包括一源极，此源极位于一栅极的一第一侧上。半导体装置可包括一漏极，此漏极位于栅极的一第二侧上，其中栅极的第二侧相对于栅极的第一侧。半导体装置可包括位于源极上方的一第一触点。半导体装置可包括位于漏极上方的一第二触点。半导体装置可包括位于栅极上方的一气隙，其中栅极位于至少第一触点与第二触点之间。半导体装置可包括至少两个介电材料，位于气隙与第一触点之间的一区域以及气隙与第二触点之间的一区域的各者中。
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公开(公告)号：CN109427648B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201711220067.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。
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公开(公告)号：CN106158891A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510765521.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。
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公开(公告)号：CN103367290A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210395013.4
申请日：2012-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05018 , H01L2224/05019 , H01L2224/0508 , H01L2224/05083 , H01L2224/05085 , H01L2224/05086 , H01L2224/05087 , H01L2224/05088 , H01L2224/05096 , H01L2224/05098 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
Abstract: 一种接合焊盘结构包括衬底和在第一介电层中形成并且设置在衬底上方的第一导电岛状物。具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二介电层中并且设置在第一导电岛状物上方。第二导电岛状物形成在第三介电层中并且设置在第一通孔阵列上方。接合焊盘设置在第二导电岛状物上方。第一导电岛状物、第一通孔阵列和第二导电岛状物电连接到接合焊盘。第一通孔阵列未连接到第一介电层中除第一导电岛状物外的其他导电岛状物。除第二导电岛状物外，第三介电层中的其他导电岛状物未连接到第一通孔阵列。本发明提供了具有密集通孔阵列的接合焊盘结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086406B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010009273.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置包括设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的栅极结构以及设置在第一源极/漏极区域上方的第一接触件。该半导体装置包括设置在第二源极/漏极区域上方的第二接触件以及设置在第一接触件和第二接触件之间以及栅极结构上方的气隙。本发明的实施例还涉及形成半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN110610896B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201811542865.5
申请日：2018-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。在半导体衬底上形成负斜率隔离结构，以使器件彼此隔离。负斜率隔离结构的顶部临界尺寸小于底部临界尺寸。负斜率隔离结构可以穿透绝缘体上硅结构布置的绝缘层。本发明实施例涉及负斜率隔离结构。
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公开(公告)号：CN112086406A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010009273.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置包括设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的栅极结构以及设置在第一源极/漏极区域上方的第一接触件。该半导体装置包括设置在第二源极/漏极区域上方的第二接触件以及设置在第一接触件和第二接触件之间以及栅极结构上方的气隙。本发明的实施例还涉及形成半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN106057834B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201510674161.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有设置在金属栅格的侧壁之间的滤色器的BSI图像传感器和形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器具有位于半导体衬底内的像素传感器，和位于像素传感器上面的介电材料层。金属栅格通过介电材料层与半导体衬底分隔开，以及堆叠栅格布置在金属栅格上方。堆叠栅格邻接开口，开口从堆叠栅格的上表面垂直延伸至横向布置在金属栅格的侧壁之间的位置。滤色器可以布置在开口内。通过使滤色器在金属栅格的侧壁之间垂直地延伸，滤色器和像素传感器之间的距离可以较小，从而提高BSI图像传感器的性能。本发明的实施例还涉及被堆叠栅极结构深埋的滤色器阵列。
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公开(公告)号：CN106057835B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201510732502.8
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了具有介电栅格开口的背侧照明(BSI)图像传感器，介电栅格开口具有弯曲的下表面。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的弯曲的下表面。本发明也提供了用于制造BSI图像传感器的方法。本发明的实施例还涉及用于光聚焦的介电栅格底部轮廓。
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