公开(公告)号：CN112397535B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。

公开(公告)号：CN112397535A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010738104.8

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政翰 ,  张朝钦 ,  林艺民 ,  周彦廷 ,  陈言彰 ,  李昇展 ,  周正贤

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露提供一种半导体影像感测器装置及其制造方法。例如半导体影像感测器装置包含感测器，具有正面以及背面，在感测器的正面形成金属互连层，在感测器的背面形成抗反射涂层，在抗反射涂层上形成复合蚀刻终止层，其中复合蚀刻终止层包含富氢层以及压缩高密度层，接着在复合蚀刻终止层上形成滤光层。