公开(公告)号：CN106981474A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610729455.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  吴正一 ,  蔡建欣 ,  林明辉 ,  林艺民 ,  李锦思 ,  张文山 ,  陈宜辉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76898

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。