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公开(公告)号：CN104851873B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410298521.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种用于形成多层势垒的方法，包括在衬底上方形成导线，在导线上方沉积介电层，在介电层中形成插塞开口，通过多个沉积工艺和相应的等离子体处理工艺形成多层势垒。
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公开(公告)号：CN118629996A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410600334.6
申请日：2024-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本文描述的一些实施方式，提供了用于形成与半导体装置中包括与多层膜结构相邻的铜结构的技术和装置。所述技术包括使用电镀工艺以形成与多层膜结构相邻的铜结构，其中氯分子前层在电镀工艺期间涂覆多层膜结构的晶种层。在铜结构的形成过程中，可以在铜结构和包括晶种层的多层膜结构之间形成富含氯界面区(例如，包括具有氯的铜螯合物的控制层)。富含氯界面区可以降低半导体装置内电迁移及/或应力迁移的可能性。
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公开(公告)号：CN107039445A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610823361.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11524 , H01L23/62
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L27/11517 , H01L23/62 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的实施例提供了一种存储单元，包括选择器、与选择器串联连接的熔丝、形成在选择器和熔丝上的接触蚀刻停止层、连接至熔丝的位线以及连接至选择器的字线。接触蚀刻停止层包括用于提高捕获电子的能力的高k电介质，因此增加了存储单元的保持时间。本发明的实施例还提供了存储单元的制造方法。
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公开(公告)号：CN104851873A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410298521.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L23/53223 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于形成多层势垒的方法，包括在衬底上方形成导线，在导线上方沉积介电层，在介电层中形成插塞开口，通过多个沉积工艺和相应的等离子体处理工艺形成多层势垒。
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公开(公告)号：CN107123658A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710072602.1
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76224 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101265606B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200710138241.2
申请日：2007-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C25D17/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/445
CPC classification number: C25D17/001 , C25D17/007 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76877 , Y10T428/16
Abstract: 本发明提供一种化学电镀沉积装置及在半导体晶圆上形成导电层结构的方法。上述化学电镀沉积装置包括：化学电镀槽，其具有电镀液池，用以在衬底上沉积金属层；主要阴极与阳极，设置于电镀液池中，用以提供主要电场；衬底固定装置，固定半导体晶圆，且连接该主要阴极；以及辅助阴极，设置于该化学电镀槽外侧，用以提供辅助电场，使得位于该衬底固定装置中央位置的电力线密度与位于其外围周边位置的电力线密度实质上相同。本发明能够在电镀的过程中，在半导体晶圆的中央区域及周围区域形成均匀的电力线分布，从而改善工艺效果及可靠度。
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公开(公告)号：CN118507469A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410471859.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含介电层以及包含于介电层中的电容器结构，其中电容器结构包含第一导电层、在第一导电层上的绝缘层、在绝缘层上的第二导电层，以及在绝缘层与第一导电层及第二导电层的至少一者之间的缓冲层。缓冲层可包含在电容器结构的第一导电电极层与绝缘层之间，及/或在第二导电电极层与绝缘层之间，以减少电容器结构的晶格不匹配。缓冲层包含可增进绝缘层与一或多个导电电极层之间的晶格匹配的材料的组合。相较于不包含缓冲层的其他电容器结构，前述减少电容器结构中的结构缺陷形成的可能性。
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公开(公告)号：CN115663006A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211439745.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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公开(公告)号：CN108962922A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710646919.1
申请日：2017-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。
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公开(公告)号：CN106981474A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610729455.6
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L21/76838 , H01L21/76898
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。
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