公开(公告)号：CN107039445A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610823361.5

申请日：2016-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  蔡建欣 ,  郑国贤 ,  林明辉 ,  陈韦立 ,  张朝钦 ,  谢忠佑 ,  李锦思

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11524 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/11206 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11517 ,  H01L23/62 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明的实施例提供了一种存储单元，包括选择器、与选择器串联连接的熔丝、形成在选择器和熔丝上的接触蚀刻停止层、连接至熔丝的位线以及连接至选择器的字线。接触蚀刻停止层包括用于提高捕获电子的能力的高k电介质，因此增加了存储单元的保持时间。本发明的实施例还提供了存储单元的制造方法。