公开(公告)号：CN115663006A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211439745.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡建欣 ,  吴正一 ,  周佳兴 ,  林艺民 ,  林明辉 ,  李锦思

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

公开(公告)号：CN107123658A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710072602.1

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡建欣 ,  吴正一 ,  周佳兴 ,  林艺民 ,  林明辉 ,  李锦思

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。