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公开(公告)号：CN118507469A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410471859.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含介电层以及包含于介电层中的电容器结构，其中电容器结构包含第一导电层、在第一导电层上的绝缘层、在绝缘层上的第二导电层，以及在绝缘层与第一导电层及第二导电层的至少一者之间的缓冲层。缓冲层可包含在电容器结构的第一导电电极层与绝缘层之间，及/或在第二导电电极层与绝缘层之间，以减少电容器结构的晶格不匹配。缓冲层包含可增进绝缘层与一或多个导电电极层之间的晶格匹配的材料的组合。相较于不包含缓冲层的其他电容器结构，前述减少电容器结构中的结构缺陷形成的可能性。
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公开(公告)号：CN106057727B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201510616190.4
申请日：2015-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供其上设置有介电质的衬底，其中，介电质具有通过多个暴露的表面而形成的凹槽；在多个暴露的表面上形成导电膜；向凹槽施加表面剂，使得表面剂粘附于导电膜的一部分；将衬底浸于包括金属离子的电镀溶液中；以及向导电膜施加偏压，以在凹槽中填充金属材料。
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公开(公告)号：CN111463224A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010185211.2
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括形成在衬底上方的互连结构和形成在互连结构上方的钝化层。半导体器件结构还包括形成在钝化层中的抗酸层和形成在抗酸层和钝化层上的接合层。抗酸层具有大于约140nm的厚度。本发明还提供了互补金属氧化物半导体图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN106057836B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510759461.1
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种背照式(BSI)图像传感器。背照式(BSI)图像传感器包括：半导体衬底；以及层间介电(ILD)层，位于半导体衬底的前侧处。ILD层包括：介电层，位于半导体衬底上方；和接触件，部分地掩埋在半导体衬底内部。接触件包括：硅化物层，包括近似在从约600埃至约1200埃的范围内的预定厚度。本发明还提供一种制造背照式(BSI)图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN107403813A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710286357.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，该方法包括在衬底上方形成具有第一膜应力类型和第一膜应力强度的第一膜，和形成具有第二膜应力类型和第二膜应力强度且位于第一膜上方的第二膜。第二膜应力类型不同于第一膜应力类型。第二膜应力强度与第一膜应力强度大致相同。第二膜补偿由第一膜对衬底的非平坦性的应力引起的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456681B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210480065.1
申请日：2012-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/0276 , H01L21/31144
Abstract: 公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。在约180埃至约360埃的范围优化MHM层的厚度从而在减小Cu凹陷的同时避免了图片叠加移动问题。
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公开(公告)号：CN111463224B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010185211.2
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括形成在衬底上方的互连结构和形成在互连结构上方的钝化层。半导体器件结构还包括形成在钝化层中的抗酸层和形成在抗酸层和钝化层上的接合层。抗酸层具有大于约140nm的厚度。本发明还提供了互补金属氧化物半导体图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN111254478B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911207478.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了电化学镀(ECP)系统。该ECP系统包括：ECP单元，该ECP单元包括用于ECP工艺的镀液；传感器，配置为随着ECP工艺的进行而原位测量镀液中的镀金属与电解质之间的界面电阻；镀液供应系统，与ECP单元流体连通，并且配置为向ECP单元供应镀液；以及控制系统，可操作地耦合到ECP单元、传感器和镀液供应系统。控制系统配置为将界面电阻与阈值电阻进行比较，并且响应于界面电阻低于阈值电阻而调节镀液的组分。本发明的实施例还涉及执行电化学镀工艺的方法、形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN109390276A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811216101.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明公开了一种改进的互连结构及其形成方法，这允许互连结构实现较低Rc。为了降低互连结构的Rc，将α相诱导金属层引入到β相的第一Ta阻挡层上，从而诱导随后沉积在其上的Ta形成α相Ta阻挡层。与β相Ta阻挡层相比，随后沉积的主要的晶体结构为α相的Ta阻挡层具有较低的Rc。
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公开(公告)号：CN109216189A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710519305.7
申请日：2017-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/477
Abstract: 本揭露有关于一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。此承载平台是用以承载晶圆，且复合加热环设置于承载平台及晶圆之间。其中，复合加热环是沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载平台的承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的底面。
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