公开(公告)号：CN103456681B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210480065.1

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王泓智 ,  陈威戎 ,  梁耀祥 ,  连城广

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144

Abstract: 公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。在约180埃至约360埃的范围优化MHM层的厚度从而在减小Cu凹陷的同时避免了图片叠加移动问题。

公开(公告)号：CN107026104A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611113293.X

申请日：2016-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢佳暐 ,  王泓智 ,  黄宏麟

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67196 ,  B05C11/06 ,  C23C18/1691 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6719

Abstract: 腔室包含侧壁、冷却管和外管。冷却管包含沿着腔室的侧壁延伸的第一区段并且包含多个净化喷嘴。外管延伸到腔室内部并且连接到冷却管的第一区段。半导体处理站包含中心传递腔室、负载锁定腔室和冷却台。负载锁定腔室和冷却台邻近于中心传递腔室安置。负载锁定腔室用以容纳具有多个晶片的晶片载体。中心传递腔室连通在冷却台与负载锁定腔室之间，以在冷却台与负载锁定腔室之间传递晶片。

公开(公告)号：CN103456681A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210480065.1

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王泓智 ,  陈威戎 ,  梁耀祥 ,  连城广

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144

Abstract: 公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。在约180埃至约360埃的范围优化MHM层的厚度从而在减小Cu凹陷的同时避免了图片叠加移动问题。

公开(公告)号：CN103681612B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310030491.X

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江祯斌 ,  王泓智 ,  李魁斌 ,  周其雨 ,  梁耀祥

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/52 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 晶种层结构和方法。一种晶种层包括在通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分、在通孔开口的侧壁的上部上形成的侧壁晶种层部分以及在底部晶种层部分和侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分。侧壁晶种层部分具有第一厚度。拐角晶种层部分具有第二厚度，并且第二厚度大于第一厚度。

公开(公告)号：CN103681612A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310030491.X

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江祯斌 ,  王泓智 ,  李魁斌 ,  周其雨 ,  梁耀祥

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/52 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 晶种层结构和方法。一种晶种层包括在通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分、在通孔开口的侧壁的上部上形成的侧壁晶种层部分以及在底部晶种层部分和侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分。侧壁晶种层部分具有第一厚度。拐角晶种层部分具有第二厚度，并且第二厚度大于第一厚度。