公开(公告)号：CN107026104A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611113293.X

申请日：2016-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢佳暐 ,  王泓智 ,  黄宏麟

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67196 ,  B05C11/06 ,  C23C18/1691 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6719

Abstract: 腔室包含侧壁、冷却管和外管。冷却管包含沿着腔室的侧壁延伸的第一区段并且包含多个净化喷嘴。外管延伸到腔室内部并且连接到冷却管的第一区段。半导体处理站包含中心传递腔室、负载锁定腔室和冷却台。负载锁定腔室和冷却台邻近于中心传递腔室安置。负载锁定腔室用以容纳具有多个晶片的晶片载体。中心传递腔室连通在冷却台与负载锁定腔室之间，以在冷却台与负载锁定腔室之间传递晶片。