公开(公告)号：CN103456681B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210480065.1

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王泓智 ,  陈威戎 ,  梁耀祥 ,  连城广

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144

Abstract: 公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。在约180埃至约360埃的范围优化MHM层的厚度从而在减小Cu凹陷的同时避免了图片叠加移动问题。

公开(公告)号：CN103456681A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210480065.1

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王泓智 ,  陈威戎 ,  梁耀祥 ,  连城广

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144

Abstract: 公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。在约180埃至约360埃的范围优化MHM层的厚度从而在减小Cu凹陷的同时避免了图片叠加移动问题。