公开(公告)号：CN106531686B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610677823.7

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  刘继文 ,  曾鸿辉

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：包括接触区域的半导体衬底；在接触区域上存在的硅化物；在半导体衬底上存在的介电层，介电层包括暴露出接触区域的部分的开口；在开口中存在的导体；在导体和介电层之间存在的阻挡层；以及在阻挡层和介电层之间存在的金属层，其中，硅化物的Si浓度沿着硅化物的高度而变化。本发明的实施例还提供了互连结构和其制造方法。

公开(公告)号：CN105097664B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410442910.5

申请日：2014-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李亚莲 ,  苏鸿文 ,  林瑀宏 ,  李魁斌 ,  张育民

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/50 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于具有减小的接触电阻的集成电路的结构。该结构包括衬底、沉积在衬底上的覆盖层、沉积在覆盖层上的介电层、以及嵌入在介电层中的沟槽。该沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的TaN层，其中，TaN层具有大于钽的氮浓度；沉积在TaN层上的Ta层；以及沉积在Ta层上的Cu。该结构还包括在填充的沟槽的底部集成到沟槽的通孔。在一个实施例中，TaN层和Ta层均以物理汽相沉积(PVD)形成，其中，通过以至少20sccm的N2流量等离子体溅射Ta靶来形成TaN层。该结构提供低的接触电阻(Rc)和紧凑的Rc分布。本发明还涉及器件和用于减小金属的接触电阻的方法。

公开(公告)号：CN106531686A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610677823.7

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  刘继文 ,  曾鸿辉

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：包括接触区域的半导体衬底；在接触区域上存在的硅化物；在半导体衬底上存在的介电层，介电层包括暴露出接触区域的部分的开口；在开口中存在的导体；在导体和介电层之间存在的阻挡层；以及在阻挡层和介电层之间存在的金属层，其中，硅化物的Si浓度沿着硅化物的高度而变化。本发明的实施例还提供了互连结构和其制造方法。

公开(公告)号：CN106158822A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510163064.8

申请日：2015-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  傅美惠 ,  林圣轩

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。

公开(公告)号：CN117174598A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310893175.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王伟民 ,  林瑀宏 ,  戴世芃 ,  余国宠

IPC: H01L21/60

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括在第一晶圆之上形成蚀刻遮罩，蚀刻遮罩覆盖第一晶圆的内部部分。进行晶圆边缘修整制程以修整第一晶圆的边缘部分，蚀刻遮罩保护第一晶圆的内部部分不被蚀刻，边缘部分形成环绕内部部分的完整的环。所述方法还包括去除蚀刻遮罩，以及将第一晶圆接合到第二晶圆。

公开(公告)号：CN110690642B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/323 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN106449639B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201610592356.8

申请日：2016-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕铮 ,  黄宏麟 ,  黄俊贤 ,  林瑀宏

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种包括电阻器层的半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底的第一区上方的栅极结构以及邻近栅极结构形成的层间介电(ILD)层。半导体器件结构还包括电阻器层，其形成在衬底的第二区上方的ILD层上方，并且电阻器层的主结构是非晶的。本发明还提供了用于形成半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：CN105097471B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510200628.0

申请日：2015-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/02 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/1304

Abstract: 本文公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属与半导体接触件的方法。在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区位于半导体衬底的顶面。穿过绝缘层蚀刻开口，开口暴露目标区的部分的顶面。掺杂的金属氧化物中间层在开口中形成并且接触目标区的顶面。用金属插塞填充开口的剩余部分，掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和衬底之间。掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成并且掺杂有氟。本发明涉及具有掺杂的中间层的金属‑半导体接触件结构。

公开(公告)号：CN105374794A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410795262.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  傅美惠 ,  林威戎 ,  周友华 ,  许嘉麟 ,  黄宏麟 ,  林士琦

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的接触层；位于接触层上方的介电层，其中，介电层具有开口，开口暴露接触层的部分；位于接触层的暴露部分上方的硅化物层；沿着开口的侧壁的阻挡层；位于阻挡层上方的合金层；位于合金层上方的胶合层以及位于胶合层上方的导电插塞。

公开(公告)号：CN119008588A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410897941.3

申请日：2024-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  涂纪诚 ,  杨素纯 ,  戴世芃 ,  郭佑豪

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/56

Abstract: 一种方法包括将第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶接合至基板，其中间隙设置在第一半导体裸晶的第一侧壁以及第二半导体裸晶的第二侧壁之间；执行等离子体处理以利用第一掺杂剂掺杂第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶中的每一个的顶部表面以及侧壁，其中第一侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第一半导体裸晶的顶部表面朝向第一半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低，且第二侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第二半导体裸晶的顶部表面朝向第二半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低；以及利用旋涂介电材料填充间隙。