公开(公告)号：CN119631256A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057255.9

申请日：2023-07-04

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 今东孝之

IPC: H01S5/023 ,  H01L21/60 ,  H01S5/0234

Abstract: 根据本发明的实施方式的一种电子装置，包括：芯片；半导体基板；凸块；绝缘膜；以及金属膜。芯片设置有半导体激光器。半导体基板设置有驱动半导体激光器的驱动电路。凸块连接多个芯片侧连接焊盘以及多个基板侧连接焊盘，该多个芯片侧连接焊盘设置在芯片的与激光束的发射表面相反侧上的主表面上，该多个基板侧连接焊盘设置在半导体基板的与芯片相对侧上的主表面上。绝缘膜被设置在与基板侧连接焊盘的层相同的层上，并且使相邻的基板侧连接焊盘彼此绝缘。金属膜设置在绝缘膜上。

公开(公告)号：CN112335143B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201980043128.7

申请日：2019-06-17

Applicant: 通快光电器件有限公司

Inventor： A·魏格尔 ,  S·格罗嫩博恩 ,  H·J·门希

IPC: H01S5/0234 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/42 ,  G01S17/89 ,  G01S7/481 ,  H01S5/02 ,  H01S5/062 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明描述了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列(100)，所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少两个VCSEL子阵列，其中，每个VCSEL子阵列包括布置在基体(110)上的多个VCSEL，其中，所述至少两个VCSEL子阵列借助于相应的VCSEL子阵列内的VCSEL共有的第一电接触体布置结构(105、107)以及第二电接触体布置结构(150、155)电接触，其中，第二电接触体布置结构(150、155)包括多个第二电接触体(150)，每个第二电接触体(150)单独地接触相应的VCSEL子阵列内的相应的单个VCSEL，其中，每个第二电接触体(150)包括到所述多个VCSEL中的相关VCSEL的第二半导体层的第二金属‑半导体界面，其中，第二电接触体(150)被布置为能够沿着到第一电接触体布置结构(105、107)的电流路径对相关VCSEL电泵浦，其中，经由所述多个VCSEL的在第一电接触体布置结构(105、107)与第二电接触体(150)之间的电流路径的特征在于具有从旋转对称性、镜像对称性和平移对称性的组中选择的至少一种对称性。本发明还涉及一种包括这样的VCSEL阵列(100)的发光装置、一种包括这样的发光装置或VCSEL阵列(100)的飞行时间相机以及一种制造VCSEL阵列(100)的方法。

公开(公告)号：CN113454857B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202080015701.6

申请日：2020-01-23

Applicant: 新唐科技日本株式会社

Inventor： 小野将之 ,  左文字克哉 ,  西川透 ,  浅香浩 ,  西辻充 ,  山田和弥

IPC: H01S5/0234 ,  H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置(200)具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件(100)，半导体激光元件(100)包括分离形成在基板(1)上的第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)。在半导体激光元件(100)，第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)分别具有以n型半导体层(2)、活性层(3)、p型半导体层(4)的顺序依次层叠的层叠结构体(500)。第1发光元件区域(81)具有被配置在n型半导体层(2)上的第1电极膜(10a)。第2发光元件区域(82)具有被p型半导体层(4)上的第2电极膜(11b)。第1电极膜(10a)第2电极膜(11b)电连接。

公开(公告)号：CN118448977A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410476268.6

申请日：2024-04-19

Applicant: 合肥圣达电子科技实业有限公司

Inventor： 祁云杰 ,  李斌 ,  李曼曼 ,  胡竹松

IPC: H01S5/0235 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/0234

Abstract: 本发明属于薄膜高温共烧多层陶瓷技术领域，具体涉及一种大尺寸边发光芯片封装基板及其制造方法。封装基板的基板上表面设置有凸台，凸台为烧结熟化的瓷片，芯片通过所述凸台与基板连接。本发明在基板上增设凸台结构，通过凸台结构使芯片封装平面处于可加工状态，生产时通过研磨抛光即可使芯片的封装平面满足平面度要求。凸台结构的设置还可使芯片与焊料连接时挤压出的焊料沿凸台侧边向下流淌，避免焊料对芯片存在的遮挡问题。

公开(公告)号：CN113540966B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202110756733.8

申请日：2018-08-21

Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司

Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 ,  穆罕默德·阿利 ,  贝恩哈德·施托耶茨 ,  哈拉尔德·柯尼希

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

Abstract: 一种边缘发射的激光棒(100)，所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外，激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2)，所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射。多个接触元件(20)沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在接触侧上。每个接触元件与一个单个发射器相关联。每个接触元件经由接触侧的连通的接触区域(12)导电地耦合到半导体层序列上。激光棒在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)。解耦结构包括施加在接触侧上的冷却元件(30)，所述冷却元件完全覆盖接触侧的连通的冷却区域(13)。冷却元件沿着冷却区域与半导体层序列电绝缘并且沿着冷却区域热耦合到半导体层序列上。冷却区域具有沿着侧面的横向方向测量的宽度，所述宽度是相邻的接触区域的宽度的至少一半大。

公开(公告)号：CN114665377A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111457928.9

申请日：2021-12-02

Applicant: 朗美通经营有限责任公司

Inventor： A.袁 ,  M.斯里蒙格科尔 ,  J.林

IPC: H01S5/02315 ,  H01S5/0232 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/183

Abstract: 在一些实施方式中，一种用于以倒装芯片配置安装的光学设备包括以一图案布置在光学设备上的多个倒装凸块，其中所述图案不与光学设备的基板相关联的晶体解理平面对齐。在一些实施方式中，光学设备还包括将芯片的主区域和芯片的次区域分开的间隙，其中间隙的至少一部分侧面与晶体解理面成非零角度取向。

公开(公告)号：CN113161865A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110073565.2

申请日：2021-01-20

Applicant: 晶智达光电股份有限公司

Inventor： 杨琇如 ,  陈守龙 ,  锺昕展

IPC: H01S5/0225 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明公开一种封装结构，包括：一基板、设于基板上的一第一半导体芯片和一第二半导体芯片、围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片的一支架、分别与第一半导体芯片和第二半导体芯片相对应的一第一光学元件和一第二光学元件；其中，第一光学元件和第二光学元件分别具有一第一图形化表面区和一第二图形化表面区，且设于支架上，第一图形化表面区和第二图形化表面区分别与第一半导体芯片和第二半导体芯片相对，其中第一半导体芯片与第一光学元件之间间隔一第一距离，第二半导体芯片与第二光学元件之间间隔一第二距离。

公开(公告)号：CN119631255A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057184.2

申请日：2023-05-22

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 樋口彰 ,  陆昂义

IPC: H01S5/023 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/0238 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置具备：半导体激光元件，其具有多个台面部；以及辅助座，其具有配置有多个台面部的凹部。与多个台面部的各个对应的电极经由焊接构件与配线部电连接。半导体激光元件的第一基准面与辅助座的第二基准面面接触。在彼此相邻的凹部之间设有具有第二基准面的分隔壁部。在从Y轴方向观察的情况下，凹部的侧面和与该侧面相对的台面部的侧面的X轴方向的距离，随着沿Z轴方向从台面部的顶面向基端部而变短。

公开(公告)号：CN119404394A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380048044.9

申请日：2023-10-19

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 西冈真弘

IPC: H01S5/0237 ,  H01S5/0234

Abstract: 实现射出良好的偏振光比的光的发光装置。发光装置具备：第一子基板，其具有含AlN的陶瓷基板和设于陶瓷基板的上表面侧的多个上侧金属层；第一半导体激光元件，其配置于第一子基板的上表面，以TM模式振荡，多个上侧金属层中包含一个或多个上侧第一金属层，该上侧第一金属层具有至少含Ni的金属层。

公开(公告)号：CN116799621A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310275703.4

申请日：2023-03-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 寺尾真二

IPC: H01S5/34 ,  G03B21/20 ,  G02B27/01 ,  H01S5/30 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/0239

Abstract: 提供发光装置、投影仪、显示器和头戴式显示器，在层叠方向上能够减小第1电极的与第1半导体部相反侧的第1面的位置和第2电极的与第1半导体部相反侧的第2面的位置之差。发光装置具有：基板；具有第1导电型的第1半导体部；第1柱状部以及第2柱状部，其各自具备具有与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体部、具有第1导电型的第3半导体部、以及量子阱层；第1电极；第2电极；以及导电部件，其将第2电极与第1半导体部电连接，第1柱状部以及第2柱状部分别从第1半导体部向基板侧突出，第1电极与第1柱状部的第2半导体部电连接，第2电极经由导电部件以及第1半导体部与第1柱状部的第3半导体部电连接。