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公开(公告)号：CN103579080B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210549608.0
申请日：2012-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/312 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/76227
Abstract: 本发明提供了一种在半导体晶圆上沉积聚硅氮烷的方法。方法包括以下步骤：将硅氮烷设置在半导体晶圆上以及加热硅氮烷以在半导体晶圆上形成聚硅氮烷。本发明还提供了一种在半导体晶圆上制备聚硅氮烷的装置。
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公开(公告)号：CN103151296B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210208661.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/764 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个气隙，多个气隙在介电层中彼此横向设置；以及在介电层和气隙上方形成覆盖层。本发明还提供了部分气隙低K沉积的集成技术。
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公开(公告)号：CN103215565A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210210266.X
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45591
Abstract: 本公开涉及CVD共形真空/抽吸引导设计和用于引导室内的气流的引导元件。引导元件包括结构、一个或多个入口、出口和传输区。一个或多个入口形成在结构的第一侧上。入口具有根据去除速率选择的入口尺寸，以减轻室内的气流变化。出口位于与结构的第一侧相对的结构的第二侧上。出口具有根据去除速率选择的出口尺寸。传输区在结构内，并将入口耦合或连接至出口。
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公开(公告)号：CN103151296A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210208661.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/764 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个气隙，多个气隙在介电层中彼此横向设置；以及在介电层和气隙上方形成覆盖层。本发明还提供了部分气隙低K沉积的集成技术。
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公开(公告)号：CN113628987B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010375907.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584336A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910120050.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部，且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面，并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面，且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中，并邻近本体的侧面。
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公开(公告)号：CN109585354A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811334229.3
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 一种用于夹紧弯曲工件的静电卡盘，具有包括介电层的夹紧面。介电层具有由不同介电材料形成的域和一个或多个区域。将一个或多个电极连接至电源，并且控制器控制通过电源提供给一个或多个电极的夹紧电压。感生与静电卡盘的介电层的每一个域和一个或多个区域相关的静电吸引力，其中，静电吸引力基于每一个域和一个或多个区域的介电材料而变化。一个或多个区域中的静电吸引力大于域中的静电吸引力，其中，将工件的弯曲区域吸附至夹紧面并且横跨弯曲工件的表面将弯曲工件夹到夹紧面。本发明还提供了具有多区域控制的静电卡盘。
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公开(公告)号：CN103215565B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210210266.X
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45591
Abstract: 本公开涉及CVD共形真空/抽吸引导设计和用于引导室内的气流的引导元件。引导元件包括结构、一个或多个入口、出口和传输区。一个或多个入口形成在结构的第一侧上。入口具有根据去除速率选择的入口尺寸，以减轻室内的气流变化。出口位于与结构的第一侧相对的结构的第二侧上。出口具有根据去除速率选择的出口尺寸。传输区在结构内，并将入口耦合或连接至出口。
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公开(公告)号：CN103456661A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210380758.3
申请日：2012-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6776 , H01L21/3105 , H01L21/67115
Abstract: 公开了一种用于处理诸如晶圆的半导体衬底的紫外线(UV)固化系统的实施例。固化系统通常包括：处理室、用于在室中保持晶圆的晶圆支架、设置在室之上的UV辐射源、以及散置在辐射源和晶圆支架之间的UV透明窗。在一个实施例中，晶圆支架由在UV固化期间可操作以将晶圆传输通过室的带式输送器提供。在另一个实施例中，UV辐射源是横跨室的顶部移动的可移动灯单元，用于照射晶圆。在另一个实施例中，UV透明窗包括UV辐射调节器，其减小位于调节器下面的晶圆的多个部分上的UV辐射的强度。通过使晶圆上的UV强度水平正常化，多个实施例提高了晶圆固化均匀度。本发明提供用于半导体的UV固化系统。
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公开(公告)号：CN103247563A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210205957.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 一种用于夹紧弯曲工件的静电卡盘，具有包括介电层的夹紧面。介电层具有由不同介电材料形成的域和一个或多个区域。将一个或多个电极连接至电源，并且控制器控制通过电源提供给一个或多个电极的夹紧电压。感生与静电卡盘的介电层的每一个域和一个或多个区域相关的静电吸引力，其中，静电吸引力基于每一个域和一个或多个区域的介电材料而变化。一个或多个区域中的静电吸引力大于域中的静电吸引力，其中，将工件的弯曲区域吸附至夹紧面并且横跨弯曲工件的表面将弯曲工件夹到夹紧面。本发明还提供了具有多区域控制的静电卡盘。
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