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公开(公告)号：CN115036199A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110244695.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J25/50 , H01J63/02 , H01L21/263
Abstract: 一种微波产生器、紫外光源，与基板处理方法，微波产生器包含核心组件、第一磁性元件、第二磁性元件以及散热件。核心组件包含第一电极元件与套接于第一电极元件的第二电极元件。第一磁性元件套接于第一电极元件，第二磁性元件套接于第一电极元件，并与第一磁性元件分开。第二电极元件位于第一磁性元件与第二磁性元件之间。散热件包含至少一散热鳍片，散热鳍片朝向第二磁性元件延伸。
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公开(公告)号：CN111128794B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201911036415.3
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 用于扩散气体的扩散器包括基部和流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件，此扩散器元件配置以使气体的第一部分透过扩散器元件的圆周扩散，并且使气体的第二部分透过扩散器元件的端面扩散。头部还包括连接结构，此连接结构具有第一连接部分和第二连接部分，其中第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内，而第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以耦合于基部。
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公开(公告)号：CN111584336B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201910120050.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部，且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面，并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面，且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中，并邻近本体的侧面。
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公开(公告)号：CN113380602B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN113394073B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110219663.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示案揭示一种射频屏幕、紫外线灯系统、及筛选射频能量的方法，特别是一微波供电的紫外线(UV)灯系统的一射频(RF)屏幕。在一实例中，一种所揭示的RF屏幕包括：一薄片，其包含一导电材料；及一框架，其围绕此薄片的边缘。此导电材料跨越实质上此屏幕的一操作性区域而界定单独开口的一预定网格图案。此些单独开口中的每一者具有一个三角形形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113436984B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010205491.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
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公开(公告)号：CN113471128B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110035455.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程工具、气流加速器及处理半导体装置的方法，气流加速器可以包括主体部分，以及一包括与主体部分一体形成的第一端的锥形主体部分。气流加速器可包括与主体部分连接的入口端口，并用于接收将由主泵送线路从半导体制程工具中移除的制程气体。半导体制程工具可包括吸盘及用以向吸盘施加真空以固定半导体装置的吸盘真空线路。锥形主体部分可配置以产生制程气体的旋转流动，以防止制程副产物在主泵送线路的内壁上堆积。气流加速器可包括与锥形主体部分的第二端一体形成的出口端口。吸盘真空线路的末端部分可以通过出口端口提供。
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公开(公告)号：CN113471128A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110035455.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程工具、气流加速器及处理半导体装置的方法，气流加速器可以包括主体部分，以及一包括与主体部分一体形成的第一端的锥形主体部分。气流加速器可包括与主体部分连接的入口端口，并用于接收将由主泵送线路从半导体制程工具中移除的制程气体。半导体制程工具可包括吸盘及用以向吸盘施加真空以固定半导体装置的吸盘真空线路。锥形主体部分可配置以产生制程气体的旋转流动，以防止制程副产物在主泵送线路的内壁上堆积。气流加速器可包括与锥形主体部分的第二端一体形成的出口端口。吸盘真空线路的末端部分可以通过出口端口提供。
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公开(公告)号：CN113436984A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010205491.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统，包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体，其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间，其中气流调整元件具有多个开口，以供气流的部分通过，气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。
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公开(公告)号：CN112501587A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010908731.1
申请日：2020-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 本揭露揭示一种化学气相沉积设备、泵浦衬套及化学气相沉积方法，用于使用在用于通过化学气相沉积将一材料沉积在一工件上的一设备中的泵浦衬套包括多个非均匀间隔的孔径。该多个孔径的非均匀间隔产生加工腔室内的加工气体的均匀流动，该泵浦衬套与该加工腔室相关联。使用所揭示的泵浦衬套通过化学气相沉积沉积在一工件上的材料膜展现理想的性质诸如均匀厚度及光滑及均匀表面。
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