用于扩散气体的扩散器与使用扩散器的半导体制程系统

    公开(公告)号:CN111128794B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201911036415.3

    申请日:2019-10-29

    Abstract: 用于扩散气体的扩散器包括基部和流体地耦合于基部的头部。头部包括扩散器元件,此扩散器元件配置以使气体的第一部分透过扩散器元件的圆周扩散,并且使气体的第二部分透过扩散器元件的端面扩散。头部还包括连接结构,此连接结构具有第一连接部分和第二连接部分,其中第一连接部分配置以接收扩散器元件的一部分于其内,而第二连接部分从第一连接部分向外凸出并且配置以耦合于基部。

    进气装置、气体反应系统与其清洗方法

    公开(公告)号:CN111584336B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN201910120050.6

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部,且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面,并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面,且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中,并邻近本体的侧面。

    进气装置、气体反应系统与其清洗方法

    公开(公告)号:CN111584336A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201910120050.6

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部,且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面,并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面,且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中,并邻近本体的侧面。

    风口扩散器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115565907A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210251053.5

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 本揭露涉及风口扩散器。半导体制作设施的腔室可包含风口扩散器。所述风口扩散器可包含第一管部件,其经配置以将所述风口扩散器耦合到所述腔室的风口。所述风口扩散器可包含第二管部件,其耦合到所述第一管部件。所述第二管部件可包括沿着所述第二管部件的长度隔开的多个开口,其中所述多个开口经配置以从所述腔室接收流体。基于所述半导体制作设施包含所述风口扩散器,所述腔室可经配置以在所述腔室内提供流体的经改善流场。以此方式,所述风口扩散器可减少经由所述腔室输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷。

    制作半导体器件的装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112447558A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010882878.8

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 一种制作半导体器件的装置具有:壳体,界定缓冲腔室;多个反应器端口,形成在壳体中,用于与多个工艺腔室建立接口,所述多个工艺腔室用于在制作半导体器件的制作工艺期间接纳晶片;晶片定位机器人,定位在缓冲腔室中以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送晶片;吹洗端口,形成在壳体中,用于将吹洗气体引入到缓冲腔室中;泵端口,形成在壳体中,用于从缓冲腔室排放吹洗气体的一部分;以及第一流量增强器,将沿吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的吹洗气体相对于纵向轴线在多个径向方向上引导到缓冲腔室中。

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