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公开(公告)号：CN103456601A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210425190.2
申请日：2012-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/147 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5223 , H01L23/53295 , H01L28/60 , H01L29/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。
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公开(公告)号：CN115376897A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210145044.8
申请日：2022-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及用于连接两个半导体装置的原子层沉积接合层。一种方法可包含：在第一半导体装置的表面上形成第一原子层沉积(ALD)接合层；以及在第二半导体装置的表面上形成第二原子层沉积接合层。所述方法可包含经由所述第一ALD接合层和所述第二ALD接合层接合所述第一半导体装置与所述第二半导体装置。所述方法可包含：执行退火操作以熔合所述第一ALD接合层和所述第二ALD接合层；以及形成接合所述第一半导体装置与所述第二半导体装置的单个ALD接合层。
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公开(公告)号：CN115565907A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210251053.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本揭露涉及风口扩散器。半导体制作设施的腔室可包含风口扩散器。所述风口扩散器可包含第一管部件，其经配置以将所述风口扩散器耦合到所述腔室的风口。所述风口扩散器可包含第二管部件，其耦合到所述第一管部件。所述第二管部件可包括沿着所述第二管部件的长度隔开的多个开口，其中所述多个开口经配置以从所述腔室接收流体。基于所述半导体制作设施包含所述风口扩散器，所述腔室可经配置以在所述腔室内提供流体的经改善流场。以此方式，所述风口扩散器可减少经由所述腔室输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷。
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公开(公告)号：CN115565857A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210245142.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及用于直接半导体接合的异质接合层的装置及其方法。根据本发明的一些实施例，可使用异质接合层直接接合第一半导体装置与第二半导体装置。可在所述第一半导体装置上形成第一接合层，且可在所述第二半导体装置上形成第二接合层。所述第一接合层可包含相对于所述第二接合层更高的含羟基硅浓度。所述第二接合层可包含具有相对于所述第一接合层更高的氮浓度的硅。可执行退火以引起导致所述第一接合层的羟基组分的分解的脱水反应，此在所述第一接合层与所述第二接合层之间形成氧化硅键。所述第二接合层中的氮增加所述脱水反应的有效性及所述第一接合层与所述第二接合层之间的所述键的有效性及强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115253527A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210523780.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例，提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的方法，该方法包括：在第一方向上流动压力下的第一气体穿过第一扩散器管，从而产生穿过第一扩散器管的侧壁的第一横向气流；在第二方向上流动压力下的第二气体穿过第二扩散器管，从而产生穿过第二扩散器管的侧壁的第二横向气流，第二方向与第一方向相反；在外壳内合并第一横向气流和第二横向气流；以及从外壳输出合并的横向气流以产生覆盖半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。根据本申请的另一实施例，还提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的层状气流过滤器装置。根据本申请的又一实施例，还提供了用于产生层状气流的装置。
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公开(公告)号：CN114927455A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210201303.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体处理工具的吸盘真空管线包含：第一部分，其穿过所述半导体处理工具的主泵管线的侧壁。所述吸盘真空管线包含：第二部分，其实质上平行于所述主泵管线的所述侧壁和所述主泵管线中的流动方向。所述第二部分的尺寸在所述第二部分的入口端与所述第二部分的出口端之间沿着所述主泵管线中的所述流动方向增大。
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公开(公告)号：CN103456601B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201210425190.2
申请日：2012-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/147 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5223 , H01L23/53295 , H01L28/60 , H01L29/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。
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公开(公告)号：CN115763326A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211012891.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本公开实施例涉及用于在制造工艺期间前开口传送盒装载到设备前端模块上且用于转移半导体晶片衬底时，降低前开口传送盒内的湿度的系统和方法。指定结构的偏转器放置在前开口传送盒的装载口上方的设备前端模块内。偏转器引导设备前端模块中的气流远离装载口。偏转器包括在偏转器主体中具有多个孔且具有倾斜前表面的主体。因此，降低了从设备前端模块进入前开口传送盒的高湿度空气的穿透程度。
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公开(公告)号：CN115095684A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210524117.4
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16K7/12 , F16K37/00 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 可以检测及/或确定阀的隔膜位置，从而可以监测隔膜的操作。包括在阀中的感应器可以产生感应器数据，感应器数据可以用于监测隔膜的位置，其又可以用于确定通过阀的流体的流动。这样，感应器可以用于确定隔膜是否正常工作、可以用于识别和检测隔膜的故障、及/或可以用于快速终止相关联于沉积工具的操作。这可以减少半导体基板废品、可以减少由沉积工具处理的半导体基板上的装置故障、可以提高沉积工具的半导体处理品质、及/或可以增加沉积工具的半导体处理产量。
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