制造半导体结构的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110783261A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910683401.4

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明实施例涉及一种制造半导体结构的方法,其包含:将衬底从第一加载锁腔室加载到第一处理腔室中;在所述第一处理腔室中在所述衬底上方安置导电层;将所述衬底从所述第一处理腔室加载到所述第一加载锁腔室中;将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到封壳中,所述封壳填充有惰性气体且安置于所述第一加载锁腔室与第二加载锁腔室之间;将所述衬底从所述封壳加载到所述第二加载锁腔室中;将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二处理腔室中;在所述第二处理腔室中在所述导电层上方安置导电部件;将所述衬底从所述第二处理腔室加载到所述第二加载锁腔室中;以及将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二加载端口中。

    清洁FOUP的系统和方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103846262B

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201310173210.6

    申请日:2013-05-10

    Abstract: 一种用于清洁容器,诸如,半导体晶圆载体的系统包括壳体、壳体中的清洁单元、壳体内的分析单元以及壳体内的真空单元。该清洁单元包括清洁室且被配置成向清洁室中的容器中喷洒清洁介质并且干燥该容器。该分析单元被配置成对从清洁室中出来的容器内的空气进行分析且为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供检验结构。该真空单元包括被配置成当成分的检测结果高于相应的阈值时向容器施加真空的真空室。本发明还提供了一种清洁FOUP的系统和方法。

    用于支持环境控制的方法、层状气流过滤器装置以及用于产生层状气流的装置

    公开(公告)号:CN115253527A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210523780.2

    申请日:2022-05-13

    Abstract: 本申请的实施例,提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的方法,该方法包括:在第一方向上流动压力下的第一气体穿过第一扩散器管,从而产生穿过第一扩散器管的侧壁的第一横向气流;在第二方向上流动压力下的第二气体穿过第二扩散器管,从而产生穿过第二扩散器管的侧壁的第二横向气流,第二方向与第一方向相反;在外壳内合并第一横向气流和第二横向气流;以及从外壳输出合并的横向气流以产生覆盖半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。根据本申请的另一实施例,还提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的层状气流过滤器装置。根据本申请的又一实施例,还提供了用于产生层状气流的装置。

    晶片运输容器及其操作方法

    公开(公告)号:CN115565921A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210236396.4

    申请日:2022-03-11

    Abstract: 本发明实施例涉及晶片运输容器及其操作方法。一种晶片运输载具包含用于提供改进空气密封以减少空气泄漏到所述晶片运输载具中的各种组件。所述晶片运输载具可包含外壳,其具有:中空壳,其含有真空或惰性气体以最小化及/或防止湿气及氧气进入到所述晶片运输载具中;晶片架,其集成到所述外壳的所述壳中以最小化及/或防止围绕所述晶片架的空气泄漏;及/或增强型基于磁体的门闩锁,其用于围绕所述外壳的开口的全外围提供空气密封。本文中所描述的这些组件及/或额外组件可减少及/或防止来自半导体制造设施的碎屑、水分及/或其它类型的污染进入所述晶片运输载具且引起晶片缺陷及/或装置故障。

    接口工具
    7.
    发明公开
    接口工具 审中-实审

    公开(公告)号:CN114695217A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202110903727.0

    申请日:2021-08-06

    Abstract: 本发明实施例涉及接口工具。封闭式气体循环系统可包含密封气室、循环风扇和风扇过滤单元(FFU)入口,以容纳、过滤、调节和再循环通过接口工具腔室的气体。供应给腔室的气体在封闭式气体循环系统中维持在调节的环境中,这与通过FFU入口将外部空气引入腔室不同。这使得能够精确控制腔室中所使用气体的相对湿度和氧气浓度,从而减少了通过腔室运送的半导体芯片的氧化。封闭式气体循环系统还可包含气流整流器、回流孔和一或多个真空泵,以在腔室内形成向下流动的经准直气体并自动控制通过腔室和密封气室的前馈压力和气体流量。

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